§6.1金属/半导体接触 3.热平衡情形下MS接触的能带图 假设金属与半导体功函数差为:ps=p-如s 且一般情况下:≠0 当金属和半导体形成接触时,如果二者的功函数不同(费米 能级不等),则会发生载流子浓度和电势的再分布,形成肖 特基势垒。通常会出现电子从功函数小(费米能级高)的材 料流向功函数大的材料,直到两材料体内各点的费米能级相 同(即E=常数)为止。半导体体内载流子的再分布会形成 载流子耗尽或积累,并在耗尽区或积累区发生能带弯曲,而 在金属体内的载流子浓度和能带基本没有变化。§6.1 金属/半导体接触 假设金属与半导体功函数差为： 且一般情况下： 当金属和半导体形成接触时，如果二者的功函数不同（费米 能级不等），则会发生载流子浓度和电势的再分布，形成肖 特基势垒。通常会出现电子从功函数小（费米能级高）的材 料流向功函数大的材料，直到两材料体内各点的费米能级相 同（即Ef＝常数）为止。半导体体内载流子的再分布会形成 载流子耗尽或积累，并在耗尽区或积累区发生能带弯曲，而 在金属体内的载流子浓度和能带基本没有变化。 φ = φ −φSMMS ≠ 0 φ MS 3. 热平衡情形下M/S接触的能带图