离子注入特点 各种杂质浓度分布与注入浓度可通过精确控制掺杂剂量(1011-1017 cm2)和能量(5-500keV)来达到均匀性及重复性很好 同一平面上杂质掺杂分布非常均匀(±1% variation across an8 wafer) 非平衡过程,不受固溶度限制,可做到浅结低浓度或深结高浓度 注入元素通过质量分析器选取,纯度高,能量单 低温过程(因此可用多种材料作掩膜,如金属、光刻胶、介质); 避免了高温过程引起的热扩散;易于实现对化合物半导体的掺杂(高 温热扩散时化合物组分会变化); 横向效应比气固相扩散小得多,有利于器件尺寸的缩小 离子注入通过Si表面上的薄膜注入到Si中,防止了污染,自由度大 会产生缺陷,甚至非晶化,必须经高温退火加以改进 设备相对复杂、相对昂贵(尤其是超低能量离子注入机) 有不安全因素,如高压、有毒气体离子注入特点 Ø 各种杂质浓度分布与注入浓度可通过精确控制掺杂剂量（1011-1017 cm-2）和能量（5-500 keV）来达到,均匀性及重复性很好 Ø 同一平面上杂质掺杂分布非常均匀（±1% variation across an 8’’ wafer） Ø 非平衡过程，不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度 Ø 注入元素通过质量分析器选取，纯度高，能量单一 Ø 低温过程（因此可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质）； 避免了高温过程引起的热扩散；易于实现对化合物半导体的掺杂(高 温热扩散时化合物组分会变化)； Ø 横向效应比气固相扩散小得多，有利于器件尺寸的缩小 Ø 离子注入通过Si表面上的薄膜注入到Si中，防止了污染，自由度大 v 会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改进 v 设备相对复杂、相对昂贵（尤其是超低能量离子注入机） v 有不安全因素，如高压、有毒气体