因上汗大程 因上许家《大多 静电防止方法 设备投资大、产业链长、工序多 方法1：铺设导电性地板 ●保守估计：1条8寸线10亿美元，12寸线15亿美元 保持一定湿度 ●一套掩模版~1百万美元 ·芯片制造大约需要400道工序 方法2：穿静电防止鞋 导电性地根 方法3：带静电防止链 深禁外光刻机：>4000万美元 高电流离子注入机：>2百万英元 ©上汗久大多 因上汗天大学 尺寸上追求小、功能上追求大 本章小结 Feature Size and Wafer Size 一电子产品与制造是信惠的蒙体、是信惠化社女的盖石 Chip >撒电子产品的基本构成：氯成电略 or die Chip made with 0.35 um ,制造主要围统漏体管（幽细胞）及其电互连（神经网络） 一撒电子制造过程：芯片制造与电子封装 with 0.25 um 撒电子制造迪求目标：低成本、轻小化与多功能 technology 200m >撤电子削造的基本特点：找术、环境、精度、可馨性，周期性 with 0.18 um technology 因上汗家大是 因上泽入道大多 第1个晶体管的诞生 微电子材料与产业 1947.12.23点接触式品体管 By Bardeen Brattain ·第一篇关于品体管的文章 李明 Br Webster's "The transistor,a semiconductor triode 材料科学与工程学院 (品体管，一个半号体三级管) "Transistor =transfer resistor, 一第一部分微电子产业 (品体管=传输+电阻) 上第二部分芯片制造 Transferring electrical signal across a resistor 一第三部分电子封装 (经过一个电阻传输点信号) 77 方法1: 铺设导电性地板 保持一定湿度 接地 导电性地板 方法2: 穿静电防止鞋 静电防止方法 接地 方法3: 带静电防止链 保守估计：1条8寸线10亿美元，12寸线15亿美元 一套掩模版～1百万美元 芯片制造大约需要400道工序 设备投资大、产业链长、工序多 深紫外光刻机: >4000万美元 高电流离子注入机：>2百万美元 Feature Size and Wafer Size Chip made with 0.35 mm technology with 0.25 mm technology with 0.18 mm technology 300 mm 200 mm 150 mm Chip or die 尺寸上追求小、功能上追求大 本章小结 电子产品与制造是信息的载体、是信息化社会的 基石 微电子产品的基本构成：集成电路 制造主要围绕晶体管（脑细胞）及其电互连（神经网络） 微电子制造过程：芯片制造与电子封装 微电子制造追求目标：低成本、轻小化与多功能 微电子制造的基本特点：技术、环境、精度、可靠性，周期性 微电子材料与产业 李 明 材料科学与工程学院 第一部分 微电子产业 第二部分 芯片制造 第三部分 电子封装 第1个晶体管的诞生  1947.12.23 点接触式晶体管 By Bardeen & Brattain  第一篇关于晶体管的文章 Br Webster’s “The transistor, a semiconductor triode” （晶体管，一个半导体三级管）  “Transistor =transfer + resistor, （晶体管＝传输+电阻） Transferring electrical signal across a resistor” （经过一个电阻传输点信号）