可以证明：多余电子的能级处在禁带中紧靠空带 处，该能级称为施主能级。 施主能级上的电子极易激发到导带底形成电子导 电，从而导电性大大增强。 n型半导体以电子导电为主。可以证明: 多余电子的能级处在禁带中紧靠空带 多余电子的能级处在禁带中紧靠空带 处，该能级称为 处，该能级称为施主能级。 施主能级上的电子 施主能级上的电子极易激发到导带底形成电子导 极易激发到导带底形成电子导 电，从而导电性大大增强。 电，从而导电性大大增强。 e e e e n 型半导体以电子导电为主。 型半导体以电子导电为主