L2=-(4S1+2S2 1121(1)在直导线内取一体积元,如图所示,其体积d=2mldr=2mdr(=1),在 该体元处的磁场强度H ,则单位长度内所储存的磁能为 2TR Wn=「AHd r-2mdr 24z2R4 0 4R 习题11-21图 (2)由磁场能量〃、l LⅠ2可得单位长度的自感系数 Lo 2W/ 1122(1)由位移电流定义d心可得 D dD de Eo 8.85×10-×x×0.1×1.0×10=2.8A (2)以r为半径作一圆形回路L,由于电场柱对称分布,故磁感应强度B沿L的环流为 B·dl dD B27 de r de B=-Eolo Eou 9×10-3 2×(3×则0)2×1×103=50×10-2T 11-23根据位移电流密度的定义,在电容器内r处的位移电流密度为 dD 处的D= λ为圆柱单位长度上所荷电量122 2 1 1 2 2 2 2 ( ) 2 2 1 S S I N W LI m = =  +  11-21 （1）在直导线内取一体积元，如图所示，其体积 dV = 2rldr = 2rdr(l = 1) ，在 该体元处的磁场强度 2 2 R Ir H  = ，则单位长度内所储存的磁能为    = = = = R R m I r r R I r r r R I W H V 0 2 3 0 4 2 0 0 2 2 4 2 0 2 0 16 d 4 2 d 2 4 d 2 1         （2）由磁场能量 2 2 1 W LI m = 可得单位长度的自感系数   8 2 / 2 0 L0 = Wm I = 11-22 （1）由位移电流定义 t I D d d d = 可得 8.85 10 0.1 1.0 10 2.8A d d d d ( ) d d d d 12 2 13 2 0 2 =      = =  = =  = −     t E R t D D S R t t I D d   （2）以 r 为半径作一圆形回路 L，由于电场柱对称分布，故磁感应强度 B 沿 L 的环流为 2 0 2 0 d d 2 d d d r t D B r r t D B l L      =  =    1 10 5.0 10 T 2 (3 10 ) 9 10 1 , d d d 2 d 2 13 7 8 2 3 0 0 0 0 2 − −   =     =          = = =     c t E c r t r E B 11-23 根据位移电流密度的定义，在电容器内 r 处的位移电流密度为 t D J d d d = r 处的    , 2 r D = 为圆柱单位长度上所荷电量。 习题 11-21 图