写入:在W、W上分别加W 高、低电平,写1/0 T3 T4 读出:W、W先预充电至 高电平,断开充电回路, 再根据W、W上有无电流, C1 C2 读1/0。 (4)保持 Z z:加低电平,T3、T4截止,该单元未选中,保持原状态。 需定期向电容补充电荷(动态刷新),∴称动态。 四管单元是非破坏性读出,读出过程即实现刷新。 2.单管单元 (1)组成 G:记忆单元T:控制门管 Z:字线 W:位线2.单管单元 （1）组成 （4）保持 T1 T2 T3 T4 Z W W C1 C2 写入：在W、W上分别加 高、低电平，写1/0。 读出：W、W先预充电至 再根据W、W上有无电流， 高电平，断开充电回路， 读1/0。 Z：加低电平，T3、T4截止，该单元未选中，保持原状态。 需定期向电容补充电荷（动态刷新），∴称动态。 四管单元是非破坏性读出，读出过程即实现刷新。 C：记忆单元 C W Z T T：控制门管 Z：字线 W：位线