4.2:2动态Ms存储单元与存储芯片 1.四管单元 (1)组成 T3 T1、T2:记忆管 G1、2:柵极电容 T1 T2 T3、T4:控制门管 C1 C2 Z:字线 W、W:位线 (2)定义 “0”:T1导通,T2截止(c1有电荷,C2无电荷) “1”:T截止,T2导通(c1无电荷,C2有电荷)。 (3)工作 z:加高电平,T3、T4导通,选中该单元。4.2.2 动态MOS存储单元与存储芯片 1.四管单元 （1）组成 T1、T2：记忆管 C1、C2：柵极电容 T3、T4：控制门管 Z：字线 W、 W：位线 （2）定义 “0”：T1导通，T2截止 “1”：T1截止，T2导通 T1 T2 T3 T4 Z W W C1 C2 （C1有电荷，C2无电荷）； （C1无电荷，C2有电荷）。 （3）工作 Z：加高电平，T3、T4导通，选中该单元