各种硅源优缺点: SiHCL3 SICL4 常温液体,外延生长温度高,但是生长速度快,易 纯制,使用安全。是较通用的硅源。 ■SiH2CL2SiH4 常温气体,SiH2CL2使用方便,反应温度低应用越 来越广。S出H反应温度低,无腐蚀性气体,但是会 因漏气产生外延缺陷。8 各种硅源优缺点： ◼ SiHCL3 ,SiCL4 常温液体，外延生长温度高，但是生长速度快，易 纯制，使用安全。是较通用的硅源。 ◼ SiH2CL2 ,SiH4 常温气体， SiH2CL2使用方便，反应温度低,应用越 来越广。SiH4反应温度低，无腐蚀性气体，但是会 因漏气产生外延缺陷