平均质量距离ptcsc中/n而射出表面，n的取值用公式： m1=△pcsc中/n (7-1) m2=△μpt/n (7-2) m1,m2为斜率 :通过六组强度比的直线的斜率求出六个·取平均值，得=2.06≈2。因此，在膜很薄 的情况下，可以近似认为激发的全部x射线拾好集中在膜中部/2处发出，这样就可选择符 合此模型的吸收公式(Goldstein[4]等)来进行吸收修正。吸收因子FAB: FAB=exp[-(μB-μA)Ptcsc中/2] (8) 用此公式对EDAX9100能谱对TaSe2的分析结果进行吸收修正，结果如图10。从图 中看出吸收修正前误差较大，经吸收修正后，S©的分析值基本与理论值相符，同时基本上 消除了膜厚和出射角的不同对分析值的影响。在本次试验中吸收修正量为0.8%~4.4% (TaM-SeL线系)和2%~11%(TaM-ScK线系)。 五、K因子计算公式的选取与改进 如前所述，EDAX9100能谱仪计算程序中，由于K因子计算公式中电离截面Q的选取 造成低压下的分析误差，同时造成了分析不同线系时的很大误差，因此如对Q的常用公式 进行适当的选择与改进，并选择适当的荧光产额①与之匹配将提高分析准确度。 1)修改电离截面Q的一般表达式中的常数C: Q.E;2ocnb·(lnCU/U) (9) Bethe--Powell[12,4]电离截面公式中C=0.65 即：QPE;2o∝nb·(1n0.65U/U)4≤U≤30 (10) 而前面由计算所验证的EDAX9100计算程序则与QMM(公式5)和Qcc(公式6)相符 合，Qww和Qcc公式中的C分别为2.42和1，图11画出了QMM、QGc和QP三个公式的Q·E2: U的关系曲线，比较三条曲线，可以看出，QP的曲线在低压范围内要平缓得多，因此 QEi 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0200布广的广的一 U 图11 QMM QGC CBP理论曲线比较 (1)QMM (In2.42U/U.Ei)(2)QGc (InU/U.E)(3)Qmp (1n0.65/U.E) 156平均质量距离 中 而射出表面 ， 的取值用公式 △仄 冲 二 △百 一 一 ， 为斜率 ， 通过六组 强度比的直线的斜率求出六个 取平 均值 ， 得五 二 。 因此 ， 在膜很 薄 的情况下 ， 可 以近似认为激发的全部 射线恰好集 中在膜 中部 之处 发出 ， 这样就 可选择符 合此 模型 的吸收公式 〔 〕 等 来进行吸收 修正 。 吸 收因子 人 。 。 二 〔 一 百。 一 风 中 〕 、 用此公式对 。能谱对 的分析结果进 行吸收修正 ， 结果如 图 。 。 从 图 中看出吸收修正前误差 较大 ， 经吸收修正后 ， 的分析值基本与理论 值相符 ， 同时基本上 俏除了膜厚 和出射角的不 同对分析值的影 响 。 在本次试验 中 吸 收 修正 量 为 一 线系 和 ‘ 一 线系 。 五 、 因子计算公 式的选取与改进 如前所述 ， 能谱仪计算程序 中 ， 由于 因子 计算公式 中电离截面 的 选 取 造成低压 下 的分析误差 ， 同时造成了分析不 同线 系时的很大误 差 ， 因此 如对 的常用 公式 进行适当的选择与改进 ， 并选择适 当的荧光产额 。 与之 匹配 将提高分析准 确度 。 修改 电离截面 的一般表达式 中的常数 · ， 二 · · 一 〔 ， 〕 电离截面 公式 中 即 。 ， · · · 簇 《 一 而前面 由计算所验证 的 计算程序则与 公式 和 公式 相 符 合 ， 朋和 公式 中的 分别为 和 ， 图 画出了 幽 、 和 。 ，三个公式的 · 艺 的关系曲线 ， 比较三 条曲线 ， 可 以看出 ， 。 的曲线在低压 范围内要平缓得 多 ， 因 此 日 ‘ 奋瑞奋盆二二思 图 从 。 二 布一一飞犷 一翁一一嘴护一气护一 ’ 犷 从 理论曲线比较 口 · 】 ， 价 。 一