在实验体系中，SO?~浓度远高于C1-的浓度。SO?在孔内金属上的吸附将大大降低 活化面积上C1的面积分数。由(14)式可知，孔蚀生长速度受到抑制。 4结 论 (1)提出了实验体系下孔蚀发生、发展的反应机理和发展过程的电极阻抗等效电路模 型，较好地解释了实验结果。 (2)实验体系下SO,2-在蚀孔内的吸附是孔蚀生长动力学的控制性因素。 (3)孔蚀发展过程中总的转移电阻的倒数随时间的变化规律，反映了孔蚀总电流强度的 变化规律。 参考文献 1 Hoar T P,Mears D C,Rothwell G P,Corros,Sci,,1965,5:279 2 Chao C Y,Lin L F,Macdonald DD.J,Electrochem.Soc.,1981,128: 1187 3 Galvele J R.J Electrochem.Soc,1976,123:464 4 Okido M,Oki T.Light Metals,1986,36:416 5 Dawson J L,Ferreira MGS.Corros.Sci,,1986,26:1009 6 Mansfeld F,Shih H.J.Electrochem,Soc.1988,135:1171 7曹楚南，王佳，林海潮。中国腐蚀与防护学报，1989,9：261 8王佳，曹楚南，林海潮。中国腐蚀与防护学报，1989,9：271 9张普强，吴继勋，张文奇，路新瀛。北京科技大学学报，1990,12：（2)142 10 Okamoto G and Shibata T.Corros.Sci.,1970,10:371 11朱应扬.北京科技大学博士学位论文，1986，P71~80 12 Tousek J.Corros.Sci.,1978,18:53 596在 实验体系中 ， 专 一 浓度远高于 一 的浓度 。 专 一 在孔 内金属上 的 吸 附 将大大降低 活化面积上 一 的 面积分数 。 由 式可知 ， 孔蚀生长速度受到 抑制 。 结 论 提出 了实验体系下孔 蚀发生 、 发展的 反应机理和发展过程的电极阻抗 等 效 电 路 模 型 ， 较好地解释 了实验结果 。 实验体系下 ‘ “ 一 在蚀孔 内的吸附是孔蚀生长动力学的控制性 因素 。 孔蚀发展过程 中总的 转移电阻 的倒数随时间的变化规律 ， 反映 了孔蚀总电流强度的 变化规律 。 参 考 文 献 ， ， 。 。 ， ， ， ， 。 ， ， 。 。 ， ， 。 ， ， ， 。 ， ， ， 。 。 。 ， 曹楚南 ， 王佳 ， 林海潮 。 中国腐蚀与防护学报 ， ， 王佳 ， 曹楚南 ， 林海潮 中国腐蚀与防护学报 ， ， 张普强 ， 吴继勋 ， 张文奇 ， 路新浪 北京科技 大学学报 ， ， 压 。 一 ， ， 朱应扬 北京科技大学博士学位论文 ， ， ，