(2)有腔壁损耗时的谐振腔 假设：谐振腔内没有体源J与印，也没有外界的激励。 谐振腔是由非理想导电壁S包围而成，在S上有 n×E≠0， H≠0 在S表面有一个小的电场切向分量 E,=Z J nxE=Zmn×J=ZmH 其中Z为表面阻抗：乙n=(1+)R,R。=1 对于一个良导体，R很小，在计算时，腔壁处磁场的切 向分量仍用壁上无耗时的值。（2）有腔壁损耗时的谐振腔 假设：谐振腔内没有体源 J与 ，也没有外界的激励。 谐振腔是由非理想导电壁S包围而成，在S上有 在S表面有一个小的电场切向分量 对于一个良导体，Rm很小，在计算时，腔壁处磁场的切 向分量仍用壁上无耗时的值。 n E n H    0, 0 t m m m t E Z J n E Z n J Z H      1 (1 ) , Z Z j R R m m m m  其中 为表面阻抗：   