NH, Exfoliation Bulk g-C:Na g-C,N Nanosheets Carbon-Rich Nanonization g-CaN Nanosheets Calcination in Air Atmosphere Calcination in N2 Atmosphere 圆9在不同气氛下对g-CN,进行连续热处理制备富碳g-CN,纳米片的过程意图例 Fig.9 Preparation of carbon-rich g-CN,nanosheets by continuous heat treatr Na in different atmospheres 缺陷往往伴随着g-CN,的各种制备过程，然而缺陷位置的精确控制还存在较高的难度。 从实际制备的g-CN,结构特征来看，后处理策略具有明显的优势，同时，超分子前驱体也 是结构和缺陷同时调控的一个方向。 3构建异质结 g-CN,光催化效率在很大程度上受制于光载流序的复合几率。当g-CN,与其他不同 性质的半导体材料耦合后，异质结界面产生内虫场诱使能带弯曲@，别，从而所形成的紧密 接触界面可以显著改善自由电荷的转移和分离。弥补可见光吸收率低的缺点。此外，由于 异质界面的形成，合适的电子结构和带隙构型可以有效地提高光催化活性。因此，将g CN4与其他具有匹配能带结构的材料复合来构建异质结构，是提高g-CN:光催化效率备受 关注的方法之一。根据电荷转移机制。现有研究中报道较多的异质结类型主要为Ⅱ型异质 结体系和Z-scheme异质结体系图l0)。 Visible (a) (b) light Reduction E 0 r/用(0.0) Oxidation 3 TypeⅡheterojunction Z-scheme heterojunction 圆10不同类型的g-CN基异质结系统的电荷转移机制例 Fig.10 Charge-transfer mechanisms in different types of g-CN-based heterojunction systemst 对于大多数g-CN,基异质结系统，Ⅱ型异质结是最常见的类型。在Ⅱ型异质结中，g CN,的导带位置和价带位置均高于或低于另一种半导体的导带和价带位置。通过构建两种图 9 在不同气氛下对 g-C3N4进行连续热处理制备富碳 g-C3N4纳米片的过程示意图[79] Fig.9 Preparation of carbon-rich g-C3N4 nanosheets by continuous heat treatment of g-C3N4 in different atmospheres[79] 缺陷往往伴随着 g-C3N4的各种制备过程，然而缺陷位置的精确控制还存在较高的难度。 从实际制备的 g-C3N4结构特征来看，后处理策略具有明显的优势，同时，超分子前驱体也 是结构和缺陷同时调控的一个方向。 3.构建异质结 g-C3N4光催化效率在很大程度上受制于光生载流子的复合几率。当 g-C3N4与其他不同 性质的半导体材料耦合后，异质结界面产生内电场诱使能带弯曲[80,81]，从而所形成的紧密 接触界面可以显著改善自由电荷的转移和分离，弥补可见光吸收率低的缺点。此外，由于 异质界面的形成，合适的电子结构和带隙构型可以有效地提高光催化活性[82]。因此，将 g￾C3N4与其他具有匹配能带结构的材料复合来构建异质结构，是提高 g-C3N4光催化效率备受 关注的方法之一。根据电荷转移机制，现有研究中报道较多的异质结类型主要为 II 型异质 结体系和 Z-scheme 异质结体系（图 10）。 图 10 不同类型的 g-C3N4基异质结系统的电荷转移机制[81] Fig.10 Charge-transfer mechanisms in different types of g-C3N4-based heterojunction systems[81] 对于大多数 g-C3N4基异质结系统，II 型异质结是最常见的类型。在 II 型异质结中，g￾C3N4的导带位置和价带位置均高于或低于另一种半导体的导带和价带位置。通过构建两种 录用稿件，非最终出版稿