二、温敏金属材料 /986 3.金属薄膜温度敏感元件 ◆金属电阻率(Drude-Lorentz-Sommefeld理论)： P,= moV ne21 ◆薄膜电阻率(Fuchs et al.),薄膜电阻率大于块体，且随膜厚而变化： p=1+] 电子平均自由程；：膜厚 当1<1时、p=p号n1m+042可 4 电子料技大学敏感材料与传感器课程组 制3. 金属薄膜温度敏感元件 u金属电阻率（Drude-Lorentz-Sommefeld理论）： 0 t 2 m V n e l   u薄膜电阻率（Fuchs et al.），薄膜电阻率大于块体，且随膜厚而变化： 0 3 1 ( ) 8 l t           当 t  l 时，   0 4 1 3 ln ( ) 0 .4 2 3 l l t     l：电子平均自由程；t：膜厚 二、 温敏金属材料