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核磁共振谱图中,常以化学位移δ为横坐标表示。化 学位移也有用表示的。的定义为10一δ=T。例如,δ=2, 则T=8。 用δ表示时,0是高场;用表示时,10是高场。有些 化合物的质子信号,发生在δ=0以下,δ是负数,表示屏 蔽效应很强;反之,δ=10以上,表示去屏蔽效应很强。 以δ表示化学位移,不因仪器不同而有所差异,使用方便, 现为国际上采用。 下面列举一些基团中质子的化学位移(⑥值)。见表8一2 8—3,8—4。核磁共振谱图中,常以化学位移δ为横坐标表示。化 学位移也有用τ表示的。τ的定义为10-δ=τ。例如,δ=2, 则τ=8。 用δ表示时,0是高场;用τ表示时,10是高场。有些 化合物的质子信号,发生在δ=0以下,δ是负数,表示屏 蔽效应很强;反之,δ=10以上,表示去屏蔽效应很强。 以δ表示化学位移,不因仪器不同而有所差异,使用方便, 现为国际上采用。 下面列举一些基团中质子的化学位移(δ值)。见表8—2, 8—3,8—4
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