复数形式转换为实数形式的方法 取实部 E=E0e→Ee ,(o+)→ cos(ot +o) 、复电容率和复磁导率 V×H=cE+jo(E E。复电容率(欧姆损耗) 若媒质还存在极化损耗→。=ε'-j 两者同时存在 →E。=E′-j( 2、损耗角δ g6表征电介质的损耗特性 导电媒质:1g6 <1n<|弱导电媒质(良绝缘体) E>11>>1良导体 3、磁化损耗 u=u-JA 四、亥姆霍兹方程 a-E asH 则无源空间的波动方程为 V2E+uEE=0 亥姆霍兹方程,复数形式的波动方程 2B+Eo2厅=0 令k=O 则 V2E+kE=0 导电媒质,k。2=O21E V2H+kh=o 方程的解为时谐场量表达式 五、时谐场的位函数复数形式转换为实数形式的方法： cos( ) 0 ( ) 0 0       = → → + +  E E e E e E t j t e j j t    取实部  三、复电容率和复磁导率 1、 H E j j E j cE         =  + ( − ) = c  复电容率 （欧姆损耗） 若媒质还存在极化损耗   =   − j  c 两者同时存在： ( )     c =   − j   + 2、 损耗角     tg 表征电介质的损耗特性       tg = 导电媒质：        = = / tg d 1 I  I   弱导电媒质（良绝缘体） d  1 I  I   良导体 3、 磁化损耗  =  − j c       tg = 四、亥姆霍兹方程 H t H E t E       = −   = −   2 2 2 2 2 则无源空间的波动方程为      + =  + = 0 0 2 2 2 2 H H E E       亥姆霍兹方程，复数形式的波动方程 令   2 2 k = ，则      + =  + = 0 0 2 2 2 2 H k H E k E     导电媒质， c c k   2 2 = 方程的解为时谐场量表达式。 五、时谐场的位函数