厌氧生物处理——原理 高温厌氧消化系统适宜的氧化还原电位为-500~-600mV; 中温厌氧消化系统及浮动温度厌氧消化系统要求的氧化还原 电位应低于-300~-380mV。 产酸细菌对氧化还原电位的要求不甚严格,甚至可在 +100~-100mV的兼性条件下生长繁殖; 甲烷细菌最适宜的氧化还原电位为350mV或更低厌氧生物处理——原理 高温厌氧消化系统适宜的氧化还原电位为-500~-600mV； 中温厌氧消化系统及浮动温度厌氧消化系统要求的氧化还原 电位应低于-300~-380mV。 产酸细菌对氧化还原电位的要求不甚严格，甚至可在 +100~-100mV的兼性条件下生长繁殖； 甲烷细菌最适宜的氧化还原电位为-350mV或更低