污水厌氧生物处理

第九章厌氧生物处理 口概述 口原理 口主要构筑物及工艺

第九章 厌氧生物处理  概述  原理  主要构筑物及工艺

厌氧生物处理——概述 在断绝与空气接触的条件下,依赖兼性厌氧菌和专性厌 氧菌的生物化学作用,对有机物进行生物降解的过程, 称为厌氧生物处理法或厌氧消化法。 厌氧生物处理法的处理对象是:高浓度有机工业废水、 城镇污水的污泥、动植物残体及粪便等

厌氧生物处理——概述 在断绝与空气接触的条件下，依赖兼性厌氧菌和专性厌 氧菌的生物化学作用，对有机物进行生物降解的过程， 称为厌氧生物处理法或厌氧消化法。 厌氧生物处理法的处理对象是：高浓度有机工业废水、 城镇污水的污泥、动植物残体及粪便等

甲酸 类甲醇 发酵菌 发 甲胺 烷通过不同 废水或污泥c蛋白质 氨基酸酵物(乙酸等 菌途径转化 中不溶态大多糖→→CH2O6 菌 为CH4、 分子有机物脂类甘油1两酸产乙 CO2等 脂助酸 类丁酸酸菌,CO2、[H 乳酸 和乙酸 物(乙醇等 水解阶段 酸化阶段 气化阶段 酸化I 酸化Ⅱ 不完全厌氧消化(酸发酵)

厌氧生物处理——概述 厌氧生物处理的方法和基本功能有二: (1)酸发酵的目的是为进一步进行生物处理提供易生物 降解的基质; (2)甲烷发酵的目的是进一步降解有机物和生产气体燃 料

厌氧生物处理——概述 厌氧生物处理的方法和基本功能有二： （1）酸发酵的目的是为进一步进行生物处理提供易生物 降解的基质； （2）甲烷发酵的目的是进一步降解有机物和生产气体燃 料

厌氧生物处理——概述 口完全的厌氧生物处理工艺因兼有降解有机物和生产气

厌氧生物处理——概述  完全的厌氧生物处理工艺因兼有降解有机物和生产气 体燃料的双重功能，因而得到了广泛的发展和应用

厌氧生物处理——原理 一、厌氧消化的生化阶段 复杂有机物的厌氧消化过程要经历数个阶段,由不同的 细菌群接替完成。根据复杂有机物在此过程中的物态 及物性变化,可分三个阶段(表9-1)

厌氧生物处理——原理 一、厌氧消化的生化阶段 复杂有机物的厌氧消化过程要经历数个阶段，由不同的 细菌群接替完成。根据复杂有机物在此过程中的物态 及物性变化，可分三个阶段（表9-1）

厌氧生物处理——原理 表9-1有机物厌氧消化过程 生化阶段 物态变化液化(水解)酸化(1)酸化(2) 气化 小分子溶解态 大分子不溶态「有机物转化为B类产物转化为 生化过程 有机物转化为(H2+CO2)及(H2+CO2)及|CH、CO2等 小分子溶解态A、B两类产物 有机物 乙酸等 菌群 发酵细菌 「产氢产乙酸细菌甲烷细菌 甲烷发酵 发酵工艺 酸发酵

厌氧生物处理——原理 表9-1 有机物厌氧消化过程 生化阶段 Ⅰ Ⅱ Ⅲ 物态变化 液化（水解） 酸化（1） 酸化（2） 气 化 生化过程 大分子不溶态 有机物转化为 小分子溶解态 有机物 小分子溶解态 有机物转化为 （H2+CO2）及 A、B两类产物 B类产物转化为 （H2+CO2）及 乙酸等 CH4、CO2等 菌 群 发酵细菌 产氢产乙酸细菌 甲烷细菌 发酵工艺 甲烷发酵 酸 发 酵 ——

厌氧生物处理——原理 二、发酵的控制条件 (以下重点讨论甲烷发酵的控制条件。) (一)营养与环境条件 废水、污泥及废料中的有机物种类繁多,只要未达到抑 制浓度,都可连续进行厌氧生物处理。对生物可降解 性有机物的浓度并无严格限制,但若浓度太低,比耗 热量高,经济上不合算;水力停留时间短,生物污泥 易流失,难以实现稳定的运行。一般要求cOD大于 1000mg/L coD:N:P=200:5:1

厌氧生物处理——原理 二、发酵的控制条件 （以下重点讨论甲烷发酵的控制条件。） （一）营养与环境条件 废水、污泥及废料中的有机物种类繁多，只要未达到抑 制浓度，都可连续进行厌氧生物处理。对生物可降解 性有机物的浓度并无严格限制，但若浓度太低，比耗 热量高，经济上不合算；水力停留时间短，生物污泥 易流失，难以实现稳定的运行。一般要求COD大于 1000mg/L。 COD∶N∶P=200∶5∶1

厌氧生物处理——原理 (1)氧化还原电位(ORP或Eh) 厌氧环境是厌氧消化过程赖以正常进行的最重要的条件。 厌氧环境,主要以体系中的氧化还原电位来反映。 一般情况下,氧的溶入无疑是引起发酵系统的氧化还原电 位升高的最主要和最直接的原因。但是,除氧以外, 其它一些氧化剂或氧化态物质的存在(如某些工业废 水中含有的Fe3+、Cr2On2、NO3、SO42以及酸性 废水中的叶等),同样能使体系中的氧化还原电位升 高。当其浓度达到一定程度时,同样会危害厌氧消化 过程的进行

厌氧生物处理——原理 （1）氧化还原电位（ORP或Eh） 厌氧环境是厌氧消化过程赖以正常进行的最重要的条件。 厌氧环境，主要以体系中的氧化还原电位来反映。 一般情况下，氧的溶入无疑是引起发酵系统的氧化还原电 位升高的最主要和最直接的原因。但是，除氧以外， 其它一些氧化剂或氧化态物质的存在（如某些工业废 水中含有的Fe3+ 、Cr2O7 2-、NO3-、SO42-以及酸性 废水中的H+等），同样能使体系中的氧化还原电位升 高。当其浓度达到一定程度时，同样会危害厌氧消化 过程的进行

厌氧生物处理——原理 高温厌氧消化系统适宜的氧化还原电位为-500~-600mV; 中温厌氧消化系统及浮动温度厌氧消化系统要求的氧化还原 电位应低于-300~-380mV。 产酸细菌对氧化还原电位的要求不甚严格,甚至可在 +100~-100mV的兼性条件下生长繁殖; 甲烷细菌最适宜的氧化还原电位为350mV或更低

厌氧生物处理——原理 高温厌氧消化系统适宜的氧化还原电位为-500~-600mV； 中温厌氧消化系统及浮动温度厌氧消化系统要求的氧化还原 电位应低于-300~-380mV。 产酸细菌对氧化还原电位的要求不甚严格，甚至可在 +100~-100mV的兼性条件下生长繁殖； 甲烷细菌最适宜的氧化还原电位为-350mV或更低