74表面工程743气相沉积法 74表面工程743气相沉积法 化学气相沉积装置 光学高温计 控制阀 类沉积反应: 物质流控制器 还原反应(金属氯化物或氟化物的氢还原) TICL(g)+ 2BCl, (g)+5H(g)->TiB (s)+10HCI(g) 汽源控制 热分解(羰基金属、氢化物、氯化物与有机金属): 金属氯化物 压力传感器 SICl(g)+ CH(g)- SiC(s)+4HCI(g) 被涂物 真空泵 74表面工程743气相沉积法 74表面工程743气相沉积法 物理气相 电子燕发 低反应物浓度和高扩散速率: 纤维状的沉积 无规取向粒子堆积而成的柱状沉积物 更低的扩散速率: 熔测池 精细的等轴晶粒,这种结构具有最好的力学性能与断 裂韧性 水冷坩塌 电子枪 74表面工程743气相沉积法 74表面工程7.44离子注入 物理气相沉积 喷镀 等啊子 等高于喷键10 化学气相沉积装置 7.4 表面工程 7.4.3 气相沉积法 抽气泵 H2 物质流控制器 蒸汽源控制器 H2＋金属氯化物 H2 金属氯化物 蒸发器 CVD 反应器 视窗 光学高温计 热炉 压力传感器 被涂物 洗 涤 塔 真空泵 控制阀 控制压力的 惰性气体 三类沉积反应： 还原反应（金属氯化物或氟化物的氢还原）： TiCl4(g) + 2BCl3(g) +5H2(g) → TiB2(s) + 10HCl(g) 热分解（羰基金属、氢化物、氯化物与有机金属）： Ni(CO)4 (g) → Ni(s) + 4CO(g) 取代反应： SiCl4(g) + CH4(g) → SiC(s) + 4HCl(g) 7.4 表面工程 7.4.3 气相沉积法 低反应物浓度和高扩散速率： 纤维状的沉积； 高浓度反应物与较低扩散速率： 无规取向粒子堆积而成的柱状沉积物 更高的原料浓度与更低的扩散速率： 精细的等轴晶粒，这种结构具有最好的力学性能与断 裂韧性。 7.4 表面工程 7.4.3 气相沉积法 物理气相沉积：电子蒸发 7.4 表面工程 7.4.3 气相沉积法 蒸汽 基底 电子束 熔融池 水冷坩埚 电子枪 物理气相沉积 7.4 表面工程 7.4.3 气相沉积法 材料靶（－） 离子 离子 等离子 （＋） 喷镀基底 离子枪 喷镀 7.4 表面工程 7.4.4 离子注入 电源 粉末 气体 制件 电弧 镀层 等离子 等离子喷镀 钨电极