究间电荷层及表面势 ■特征 p型半导体 V<0 ■1)能带向上 弯曲并接近EF; F EEEE ■2)多子(空 S ■穴六)在半 Qs 体表面积 累 m ■,越接近 半n 1）能带向上 弯曲并接近EF； EFm EFs Ec Ev Ei  Qs Qm x n2）多子（空 n 穴）在半 导 n 体表面积 累 n ，越接近 半 n 导体表面 多 n 子浓度越 高。 1、空间电荷层及表面势