(18)-(20)可以写为, X=-(0X/OS)ES+ S= SX +dmi s Em (25) Dm=(DmS)S+dmX+ms×Em 26 T=T/pcE×)s+(OT/xE×+( aT/aEm2xE (27 (25)-(27)又称为本构方程。它描述了应变、电位移、温度 与应力、电场强度和熵之间的关系。在绝热条件下, (25)和(26)变为 X三S1ES×+ dmis Em (28) Dm=dms×+m0×Em 29 (28)和(29)被称为第一类压电方程。它的边界条件 为电学短路和机械自由。 机械自由:边界上的应力为零。 电学短路:两电极间外电路的电阻比压电陶瓷的内电阻小 很多,可以认为处于短路状态,使得E为常量。(18)-(20)可以写为， xi= -(xi /S)ES+ sij E,S Xi+ dmj S Em (25) Dm =- (Dm/S)ES+ dmj S Xi+mn S,XEm (26) T= T/(c E,X)S + (T/Xi )EXi+ (T/Em)XEm (27) (25)-(27)又称为本构方程。它描述了应变、电位移、温度 与应力、电场强度和熵之间的关系。在绝热条件下， （25）和（26）变为 xi= sij E,S Xi+ dmj S Em (28) Dm= dmj S Xi+mn S,XEm (29) （28）和（29）被称为第一类压电方程。它的边界条件 为电学短路和机械自由。 机械自由：边界上的应力为零。 电学短路：两电极间外电路的电阻比压电陶瓷的内电阻小 很多，可以认为处于短路状态，使得E为常量