深圳大学电子科学与技术学院 反转集居数饱和 日的:在频率为v、光强为/w的入射光作 用下,求工作物质的反转集居数密度△n。 在连续工作状态下,应有mhn2an dt dt 一般四能级系统中,S0∞>W3,S2>W3,A30<<S32 dm2=m形m-(S32+41)n2>书3→码≈0 =5m+m=n=S=0 →△n≈H2深圳大学电子科学与技术学院 0 0 2 3 = = = dt dn dt dn dt dn • 目的：在频率为1、光强为I1的入射光作 用下，求工作物质的反转集居数密度n。 • 在连续工作状态下，应有 一般四能级系统中，S10>>W03，S32>>W03，A30<<S32 1 1 0 0 0 3 3 3 0 0 0 0 3 3 3 2 3 0 3 ( ) n S n W n A dt dn n W n S A dt dn = − + = − + n3 S32  n0 W03  n3  0 0 10 03 1 = 0  S W n n nn2 一 反转集居数饱和