考核指标：频率范围2.6-110GHz;变温范围-50-+100C:温 控精度≤±1C;温控步进≤1℃；增益测量精度≤±0.5dB;-20dB 副瓣测量精度≤士0.5dB(2.6-40GHz),≤±0.8dB(40-75GHz), ≤±1.2dB(75~110GHz方等效全向辐射功率测量精度≤±0.5dB; 总辐射功率测量精度≤0.7B,项目完成时通过可靠性测试和第 三方异地测试，平均故障问隔时问>3000小时，技术就绪度不低 于8级；至少应用于2个领域或行业。明确发明专利、标准和软 件著作权等知识产权数量，具有自主知识产权；形成批量生产能 力，经用户试用，满足用户使用要求。 1.19毫米波与太赫兹材料电磁特性测试仪 研究内容：针对5G/6G移动通信电路板材和天线材料、卫星 天线村料、吸收屏蔽材料、集成电路材料、回旋行波管材料等毫 米波与太赫兹材料电磁特性测试需求，突破高灵敏度太赫兹收发 模块、太赫兹准光波束传输、超宽带测试夹具、材料电磁特性准 确提取计算反演算法等关键技术，开发具有自主知识产权、质量 稳定可靠、核心部件国产化的太赫兹材料电磁特性测试仪，开发 相关软件和数据库，开展工程化开发、应用示范和产业化推广， 实现在毫米波与太赫兹集成电路、通信，深空探测等领城的应用。 考核指标：频率范围18-1100GHz;动态范围≥120dB (18-50GHz),≥110dB(50-325GHz),≥90dB(325-750GHz), ≥60dB(750-1100GHz:相对介电常数测试范围1-30，测试准 确度≤±2%；相对磁导率测试范围1~10，测试准确度≤±2%：样 -530- 首都医科大学 A00089 — 530 — 考核指标：频率范围 2.6~110GHz；变温范围-50~+100℃；温 控精度≤±1℃；温控步进≤1℃；增益测量精度≤±0.5dB；-20dB 副瓣测量精度≤±0.5dB（2.6~40GHz），≤±0.8dB（40~75GHz）， ≤±1.2dB（75~110GHz）；等效全向辐射功率测量精度≤±0.5dB； 总辐射功率测量精度≤±0.7dB。项目完成时通过可靠性测试和第 三方异地测试，平均故障间隔时间≥3000 小时，技术就绪度不低 于 8 级；至少应用于 2 个领域或行业。明确发明专利、标准和软 件著作权等知识产权数量，具有自主知识产权；形成批量生产能 力，经用户试用，满足用户使用要求。 1.19 毫米波与太赫兹材料电磁特性测试仪 研究内容：针对 5G/6G 移动通信电路板材和天线材料、卫星 天线材料、吸收屏蔽材料、集成电路材料、回旋行波管材料等毫 米波与太赫兹材料电磁特性测试需求，突破高灵敏度太赫兹收发 模块、太赫兹准光波束传输、超宽带测试夹具、材料电磁特性准 确提取计算反演算法等关键技术，开发具有自主知识产权、质量 稳定可靠、核心部件国产化的太赫兹材料电磁特性测试仪，开发 相关软件和数据库，开展工程化开发、应用示范和产业化推广， 实现在毫米波与太赫兹集成电路、通信、深空探测等领域的应用。 考核指标：频率范围 18~1100GHz；动态范围≥120dB （18~50GHz），≥110dB（50~325GHz），≥90dB（325~750GHz）， ≥60dB（750~1100GHz）；相对介电常数测试范围 1~30，测试准 确度≤±2%；相对磁导率测试范围 1~10，测试准确度≤±2%；样