二、半导体三极管及其放大电路 1.晶体管能够放大的外部条件是 A发射结正偏，集电结正偏 B发射结反偏，集电结反偏 C发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其 A发射结正偏，集电结正偏 8发射结反偏，集电结反偏 C发射结正偏，集电结反偏 3.对于硅品体管来说其死区电压约为 A0.1V B0.5V C0.7V 4.锗品体管的导通压降约UE为 A0.1V B0.3Y C0.5V 5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管 的B为 A40 B50 C60 6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能 二、半导体三极管及其放大电路 1.晶体管能够放大的外部条件是_ 发射结正偏，集电结正偏 发射结反偏，集电结反偏 发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其_ 发射结正偏，集电结正偏 发射结反偏，集电结反偏 发射结正偏，集电结反偏 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_ 0.1V 0.5V 0.7V 4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_ 0.1V 0.3V 0.5V 5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管 的 β 为_ 40 50 60 6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_