§7.1CMOS反相器的直流特性 例7.1一个CMOS工艺具有下列参数：电源电压'oo=3.0V k,=140AV2,'m=0.70V,k。=60AV2,'p=-0.70V ②宽长比相等设计 W B. L W K=2.33 kp L)P VDD-IVipl+ m :.Vx 3-0.7+√2.33×0.7 =1.33 1+√2.33 1+ E. 2018-9-5 第7章CMOS逻辑门电子学分析 §7.1CMOS反相器的直流特性 例7.1中两种设计的版图比较 VDD VDD Mp ☒ Poly (gate) Mp n+/p+ ■ 口 Metal ■ Contact Mn n-well Gnd Gnd (a)Larger pFET design (b)Equal aspect ratios Figure 7.5 Comparison of the layouts for Example 7.1 2018-9-5 第7章CMOS逻辑门电子学分析 122018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 11 ②宽长比相等设计 n L p W L W ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ⎟ = ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ 2.33 ' ' ' ' = = ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ = p n p p n n p n k k L W k L W k β β Q 1.33V 1 2.33 3 0.7 2.33 0.7 1 = + − + × = + − + ∴ = p n Tn p n DD Tp M β β V β β V |V | V 例7.1 一个CMOS工艺具有下列参数： 140 A/V , 0.70V, 60 A/V , 0.70V 2 2 = = = Tp = − ' Tn p ' kn μ V k μ V 电源电压 VDD = 3.0V §7.1 CMOS反相器的直流特性 2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 12 §7.1 CMOS反相器的直流特性 例7.1中两种设计的版图比较