(3)可察除的可编程ROM( EPROM) ①叠栅注入MOS管( SIMOS)的结构和符号 S D Sic N P ② EPROM的存储单元、 Flotox管的结构和符号 W(字线) N D 隧道区 E2PROM的存储单元 Flotox管的结构和符号 目录)《()总目录)退出⑶可察除的可编程ROM（EPROM） ①叠栅注入MOS管（SIMOS）的结构和符号 ②E PROM的存储单元、Flotox管的结构和符号 S D Gf Gc SiO2 N＋ N＋ P D G S f Gc D1 S1 V1 V2 Gc 位 线 （ （ Wi (字线) Di S G D Gf c N＋ N＋ P 隧道区 D Gf Gc S E PROM的存储单元 Flotox管的结构和符号 2 2 目录 < > 总目录 退出