《电子封装技术工艺综合实验》实验讲义 实验一半导体光刻实验 一、实验目的 1、掌握基本的半导体光刻实验步骤： 2、利用光刻和刻蚀将掩模板上的图形转移到衬底，完成图形转 移： 3、掌握相关光刻实验的设备的使用。 二、实验原理 2.1光刻原理及其作用 光刻就是将掩膜上的几何图形转移到覆盖在半导体晶片表面的 对光照敏感的薄膜材料（光致刻蚀剂）上去的工艺过程。这些图形确 定集成电路中的各个区域，如注入区、接触窗口区、压焊区等。由光 刻工艺确定的抗蚀剂图形并不是最后器件的构成部件，仅是电路图形 的印模，为了制备出实际的电路图形，还必须再一次把抗蚀剂图形转 移至抗蚀剂下面组成器件的材料层上，也就是使用能够对非掩膜部分 进行选择性去除的蚀刻工艺来实现图形转移。因此光刻工艺是蚀刻工 艺的前道工序，光刻对象是光照敏感的光致抗蚀剂，而蚀刻对象是能 与蚀刻剂发生反应的器件材料层，如下图的光刻流程图所示。光刻原 理与照相相似，不同的是半导体晶圆代替了照相底片，光刻胶代替了 感光涂层。光刻胶主要成分是高分子有机物，在光照下有机物分子结 构发生变化，进而使光刻胶性质发生变化，在与显影液接触时发生不 《电子封装技术工艺综合实验》实验讲义 实验一 半导体光刻实验 一、实验目的 1、掌握基本的半导体光刻实验步骤； 2、利用光刻和刻蚀将掩模板上的图形转移到衬底，完成图形转 移； 3、掌握相关光刻实验的设备的使用。 二、实验原理 2.1 光刻原理及其作用 光刻就是将掩膜上的几何图形转移到覆盖在半导体晶片表面的 对光照敏感的薄膜材料（光致刻蚀剂）上去的工艺过程。这些图形确 定集成电路中的各个区域，如注入区、接触窗口区、压焊区等。由光 刻工艺确定的抗蚀剂图形并不是最后器件的构成部件，仅是电路图形 的印模，为了制备出实际的电路图形，还必须再一次把抗蚀剂图形转 移至抗蚀剂下面组成器件的材料层上，也就是使用能够对非掩膜部分 进行选择性去除的蚀刻工艺来实现图形转移。因此光刻工艺是蚀刻工 艺的前道工序，光刻对象是光照敏感的光致抗蚀剂，而蚀刻对象是能 与蚀刻剂发生反应的器件材料层，如下图的光刻流程图所示。光刻原 理与照相相似，不同的是半导体晶圆代替了照相底片，光刻胶代替了 感光涂层。光刻胶主要成分是高分子有机物，在光照下有机物分子结 构发生变化，进而使光刻胶性质发生变化，在与显影液接触时发生不