同的反应，部分被溶解，部分被保留下来，由此完成图形由掩膜板向 光刻胶的转移。 光刻流程图 前部工艺 清洗 面处理 涂胶 前烘 坚膜 显影 去胶 检查 黄光室 通过 →注入 图1光刻工艺步豫 2.2光刻胶的介绍 光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解 度会发生变化。晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面， 而后被干燥成胶膜。主要有正负两种性质的光刻胶。 负性光刻胶：负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。 正性光刻胶：正性光刻胶曝光后软化变得可溶。 2.3光刻主要流程介绍 1、表面处理 晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表 面，所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温 度通常在140度到200度之间。有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使同的反应，部分被溶解，部分被保留下来，由此完成图形由掩膜板向 光刻胶的转移。 图 1 光刻工艺步骤 2.2 光刻胶的介绍 光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解 度会发生变化。晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面， 而后被干燥成胶膜。主要有正负两种性质的光刻胶。 负性光刻胶：负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。 正性光刻胶：正性光刻胶曝光后软化变得可溶。 2.3 光刻主要流程介绍 1、表面处理 晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表 面，所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温 度通常在 140 度到 200 度之间。有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使