中国科学技术大学物理系微电子专业 2、能带关系 金属和半导体接触时，由于金属的功函数一般和 半导体的功函数不同，而存在接触电势差，结果 在接触界面附近形成势垒，通常称为肖特基势垒 功函数是费米能级和真空能级的能量差（即对于 金属为q中m,对于半导体为q)。 半导体导带底和真空能级能量差称为电子亲和能 qX。 金属半导体的接触势垒是指电子从金属进入半导 体必须克服的势垒的高度。 Principle of Semiconductor Devices 2023/5/15 5中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/5/15 Monday 5 2、能带关系 • 金属和半导体接触时，由于金属的功函数一般和 半导体的功函数不同，而存在接触电势差，结果 在接触界面附近形成势垒，通常称为肖特基势垒。 • 功函数是费米能级和真空能级的能量差（即对于 金属为qфm，对于半导体为qфs）。 • 半导体导带底和真空能级能量差称为电子亲和能 q。 • 金属半导体的接触势垒是指电子从金属进入半导 体必须克服的势垒的高度。 Principle of Semiconductor Devices