321直拉法 大部分的单晶 都是通过直拉法 旋转卡盘 生长的。生产过 程如图所示。 籽晶 特点:工艺成熟, 生长晶体 射频加热线圈 能较好地拉制低 位错、大直径的 硅单晶。缺点是 难以避免来自石o 英坩埚和加热装。 置的杂质污染。 oooooo3.2.1 直拉法 大部分的单晶 都是通过直拉法 生长的。生产过 程如图所示。 特点：工艺成熟， 能较好地拉制低 位错、大直径的 硅单晶。缺点是 难以避免来自石 英坩埚和加热装 置的杂质污染。 旋转卡盘 籽晶 生长晶体 射频加热线圈 熔融硅