·340· 北京科技大学学报 1995年No.4 170 M:S0,熔点=17m℃ log ac 1 SiC(s) 145 2 3 si() 9 -1.8 1 M -2.0 -2.1 s00 -S0,(s- -S0,I)- -2.2 0 0,) 6 177318731973207321732273 0 T/K log(Pco/Pa) 图5随Si0,活度变化的C-C0型优势图 图6不同温度下脱硅的最低含量的理论值 4结论 (1)当脱硅量较小时，随着配碳量的增加，脱硅率不断提高，当脱硅率较高时，实际配碳量 (7.5%)略大于理论计算值(6.36%)的脱硅率，达到极大值为97.22%. (2)实验温度的提高，脱硅率大幅度提高，当温度为2273K时，在反应后期的脱硅率反而 低于2173K的值. (3)在1873~2273K温度范围内，碳还原锆英石的表观反应活化能为282.04 kJ/mol, 而在温度≤1700℃范围内为449.89kJoL,低于皓英石热分解的表观活化能584.95 kJ/ol,高于碳还原纯SiO2的表观活化能为167.67 kJ/mol.锆英石还原过程的限制环节是锆 英石的热分解。 (4)结英石颗粒越细，混合试样压块，有利脱硅率的提高. (5)讨论了Si-C-O系中C-CO优势图，论述了SO,活度对脱硅率的影响，得到温度与 SiO,含量的极限值的理论关系， 参考文献 1铃木敏久.芝儿3=7七兰儿1之.工业L7ノ夕儿，199L,103(8):92~98 2 Yuan Zhangfu.Investigation on the Production of ZnO:by Use of Plasma Technique and Its Application.China's Referactories,1992(1):71~75 3袁章福.等离子体技术脱SiO2制取氧化皓及用于连铸水口的研究：[博士学位论文】.北京：北京 科技大学，1993 4袁章福.含碳铬矿球团的还原性能.北京科技大学学报，1989,11(5方：399~405 5袁章福.等离子体制取Z0,在连铸中间包的应用.北京科技大学学报，1993,15(5)：479~484北 京 科 技 大 学 学 报 卯 年 州狄 伞 矛 一 ‘ 一 昆 一 刀 一 一 弓 州卜“ 叽 笋点 刀 ℃ 界选 ， 厂 － 峨 －－ 幻 ， － ，‘︻ 图 随 活 度 变化 的 一 型 优势 图 图 不 同温度下 脱硅的最低含， 的 理 论值 结 论 当脱硅量 较小 时 ， 随着 配碳量 的增加 ， 脱硅 率不 断提 高 当脱硅 率较 高 时 ， 实 际 配 碳 量 略大 于 理论计算值 的脱硅 率 ， 达到极大值为 实验温度 的提高 ， 脱硅 率大 幅度提高 ， 当温度 为 时 ， 在 反 应 后 期 的脱 硅 率 反 而 低于 的值 在 一 温 度 范 围 内 ， 碳 还 原 错 英 石 的表 观 反 应 活 化 能 为 ， 而 在 温 度 簇 ℃ 范 围 内 为 ， 低 于 错 英 石 热 分 解 的 表 观 活 化 能 ， 高于 碳 还 原 纯 的表观 活化能 为 错 英 石 还 原 过 程 的 限 制 环 节 是 错 英 石 的热分解 错英 石颗粒越细 ， 混合试样 压块 ， 有利脱硅 率的提 高 讨论 了 一 一 系 中 一 优势 图 ， 论述 了 活度 对脱硅率 的影 响 ， 得到 温 度 与 含量 的极 限值的理论关 系 参 考 文 献 铃木敏久 多 户 ” 二 七 犷 沙 ， 夕 工 业 卜 夕 夕 八 ， 卯 ， 一 ’ ， 一 袁 章福 等 离 子 体 技 术 脱 制 取 氧 化 错 及 用 于 连 铸 水 口 的 研 究 博 士 学 位 论 文 〕 北 京 北京 科技大学 ， 袁 章福 含 碳 铬 矿球 团 的 还 原 性 能 北 京 科 技 大 学 学 报 ， ， 一 袁 章福 等 离 子 体制 取 在 连铸 中间包的 应 用 北 京 科 技 大 学 学 报 ， ， 一