CMOS反相器下降时间为: 2C 0.l 1,,19V-20V t dd +-In B, -v 设:Vtn=02Vddd=5v 4 dd Vdd 2、上升时间: 由充电电流的瞬态方程: d dt 2021/2/212021/2/21 7 CMOS反相器下降时间为： 设：Vtn=0.2Vdd Vdd=5v 2、上升时间： 由充电电流的瞬态方程： ) 19 20 ln( 2 0.1 1 [ ( ) 2 1 2 d d d d t n d d t n t n d d n d d t n l f f f V V V V V V V V V C t t t − + − − − = + =  n dd l f V C t   4 Vi Vdd Vo Cl I S d d S dt dV I Cl 0 0 =