与BJT相比,尽管 MOSFET的参数离散性大,m低, 输入失调电压Uo大,输入失调电压的温漂V大, dT 频率特性差,低频噪声大,但MS管输入偏流极 低,输入电阻可高达1012Ω,集成工艺简单,抗辐 射能力强,MOS集成电路密度比双极型的密度高很 多,而功耗却低很多

一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号

1.2半导体二极管 1.2.4二极管的等效电路 等效的目的:将非线性的二极管线性化,以便分析和计算。 一、由伏安特性折线化得到的等效电路

第四章集成运算放大电路自测题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的

教学目的、要求： 1.掌握BJT的电流分配、放大原理、特性曲线和主要参数； 2.掌握共射、共集电路的组成、工作原理和计算 3.能熟练地利用图解分析法确定静态工作点，掌握工作点的设置与非线性失真的关系； 章节内容： 4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应

一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是,而 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C半导体管的非线性特性 D放大电路的静态工作点不合适

第六章放大电路中的反馈 自测题 一、在括号内填入“√”或“×”,表明下列说法是否正确。 (1)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。 () (2)负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数 量纲相同。() (3)若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不 变。 () (4)阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后, 越容易产生低频振荡。()

第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响 应,条件是 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是,而 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C半导体管的非线性特性 D放大电路的静态工作点不合适

1.指出下列化合物能量最低的电子跃迁的类型

采用室温离子注入和低压电镜原位观察的方法,研究了注氢对国产ODS铁素体钢微观结构的影响.结果表明:原始未注氢ODS铁素体钢中存在有一定数量的(Fe,Cr)2O3,室温注氢后,(Fe,Cr)2O3无明显改变;但将其加热至450℃,(Fe,Cr)2O3即开始分解;到550℃时,部分(Fe,Cr)2O3消失,残余(Fe,Cr)2O3的成分也发生了改变.与此相反,原始未注氢ODS铁索体钢的微观结构在加热过程中却没有明显改变,(Fe,Cr)2O3并不分解