第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

重 点 之 一:Ge、Si和GaAs的晶体结构 重 点 之 二:Ge、Si和GaAs的能带结构 重 点 之 三:本征半导体及其导电机构、空穴

第一节 异质结及其能带图 第二节 异质结在半导体光电器件中的作用 第三节 异质结制备工艺与晶格匹配 第四节 超晶格与量子阱

1、原子严格地周期性排列,晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带—电 子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级。由本征激发提供载流子一本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷

电子科技大学：《半导体光电子学 Semiconductor Optoelectronics》课程教学资源（教学大纲，刘爽）

一、非平衡载流子的产生 1．光注入 用波长比较短的光

一、非平衡载流子及其产生 非平衡态：系统对平衡态的偏离

1.1晶体结构预备知识,半导体晶体结构 1晶体结构的描述(有关的名词) 格点:空间(一维或多维)点阵中的点(结点) 晶列:通过任意两格点所作的(晶列上有一系列格点)

放大电路 半导体、PN结、 BJT载流子运动 物理、化学

中国科学技术大学：《半导体器件原理》课程教学资源（PPT课件）绪论 Principle of Semiconductor Devices（主讲：徐军）