§5.1 MOS结构及MOS二极管 §5.2 MOSFET的基本理论 §5.3 MOSFET的频率特性 §5.4 MOSFET的击穿特性 §5.5 MOSFET的功率特性 §5.6 MOSFET的温度特性 §5.7 MOSFET的开关特性 §5.8 CMOS互补型低功耗电路 §5.9 MOSFET的短沟道效应 §5.10 MOSFET的器件小型化

第一节 概述 第二节 可编程阵列逻辑器件（PAL） 第三节 通用阵列逻辑GAL器件 第四节 现场可编程门阵列FPGA

复旦大学：《光子学器件与工艺 Photonics Devices and Technology》教学课件_第三章 从光子学器件物理基础到光有源器件

10.1 电子设计自动化概述 10.2 简单可编程逻辑器件 10.3 高密度可编程逻辑器件 10.4 PLD开发工具Max+plusⅡ

结型场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、用输入电压控 制输出电流的半导体器件。从参 与导电的载流子来划分，它有自 由电子导电的N沟道器件和空穴 导电的P沟道器件

基本概念基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等

8.1 概述 8.1.1 光的特性 8.2 光电效应 8.2.1 外光电效应 8.2.2 光源（发光器件） 8.2.2 内光电效应 8.3 外光电效应器件 8.3.1 光电管及其基本特性 8.3.2 光电倍增管及其基本特性 8.4 内光电效应器件 8.4.1 光敏电阻 8.4.2 光电池 8.4.3 光敏晶体管 8.5 新型光电传感器 8.5.1 高速光电二极管 8.5.2 色敏光电传感器 8.5.3 光固态图象传感器

半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的结构、工作原理、工作特性、 参数 ⚫ 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 三极管

一、变像管 二、像增强管 三、光调制器件

特性 符合通用串行总线(USB)1.1版规范 ·高性能USB接口器件,集成了SIE、FF0存储器、收发器以及电压调整器 的米 符合大多数器件的分类规格