一、对金属切削机床的基本要求 1.机床的性能方面 (1)工艺范围 是指机床适应不同加工要求的能力

1. 单项选择 1-1 构成工序的要素之一是（ ）。 ① 同一台机床 ② 同一套夹具 ③ 同一把刀具 ④ 同一个加工表面 1-2 目前机械零件的主要制造方法是（ ）。 ① 材料成形法 ② 材料去除法 ③ 材料累加法 ④ 材料复合法

一、零件的基准及其分类 什么是基准？ 基准就是用来确定生产对象上几何要素间的几何关系所依据的点、线、面

一、公差与配合的基本概念 1. 有关“尺寸”的术语和意义 （1）尺寸尺寸是用特定单位表示长度的数字

一、对金属切削机床的基本要求 1. 机床的性能方面 （1）工艺范围

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一、走合期定义 新车在开始投入使用阶段,汽车各部机构 中的零件正处于磨合状态,还不能全负荷运行, 我们把这个使用阶段称为汽车的走合期。 二、为什么要有走合期 新车或大修好的汽车,尽管经过了生产磨 合,但零件的加工表面仍存在着微观和宏观的 几何形状偏差(粗糙度、圆度、圆柱度、直线 度等);此外,总成及部件的装配也有一定的 允许误差

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)