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半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体管的结构与符号 晶体管的工作状态及放大原理 晶体管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管(JFET) 绝缘栅场效应管(IGFET) 场效应管的工作状态、参数及特点
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•放大器的构成(基本知识) •放大器的直流通路、交流通路、微变等效电路(掌握) •放大器的静态分析(目的、方法、意义)(掌握) •放大器的动态分析(目的、方法)(掌握) •放大器的偏置电路(结构、作用)(理解) •多级放大器(耦合方式构成、特点)
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2.1 放大器概述 2.2 放大器基本分析法 2.3 晶体管偏置电路 2.4 晶体放大器的三种基本组态 2.5 场效应管放大器 2.6 有源负载放大器 2.7 多级放大器 2.8 放大器的表示法
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2.1 放大器概述 2.2 放大器基本分析法 2.3 晶体管偏置电路 2.4 晶体放大器的三种基本组态 2.5 场效应管放大器 2.6 有源负载放大器 2.7 多级放大器 2.8 放大器的表示法
文档格式:PDF 文档大小:140.43KB 文档页数:8
1.什么是单稳态触发器 触发脉冲未到来时----稳态 触发脉冲到来时 ----暂稳态----经tW----稳态 输出为幅度、宽度固定的矩形脉冲
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7.4.1二极管构成的简单逻辑门 7.4.2.1TTL与非门的工作原理(续) (3)输入至少有一个为低时
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功率管是电路中最容易受到损坏的器件。损坏的主要原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值。而晶体管的耗散功率取决于管子内部结温T。当T超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧坏。一般情况下,硅管允许结温为120~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出)
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集成稳压器的种类很多,按照输出电压 是否可调分为固定式和可调式;按照输出电 压的正、负极性分为正稳压器和负稳压器; 按照印出端子分为三端和多端稳压器。而三 端稳压器只有三个端子,安装和使用方便、 简单,所以在实际中应用最多
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第三节放大电路的微变等效电路分析法 一、晶体管微变等效电路分析 二、用微变等效电路分析放大器
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一、缘栅型场效应管(MOS管)的结构与工作原理 二、主要参数及使用时的注意事项 三、场效管基本放大电路
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