采用X射线衍射仪、投射电镜仪和扫描电镜仪等测试手段,系统地研究了不同聚乙烯亚胺(PEI)浓度对ZnO纳米线阵列膜的形貌、线密度和尺寸的影响及ZnO纳米线阵列膜的光电性能.研究结果表明,在PEI浓度从3.2 mmol·L-1变化到9.3 mmol·L-1所制备的所有ZnO纳米线阵列膜中,使用7.3 mmol·L-1PEI浓度合成的ZnO纳米线阵列膜,制成染料敏化太阳能电池后获得0.66%的最高的光电转换效率

对光合细菌的生长条件进行了较系统的研究与观察,发现温度、照度和pH值影响光合细菌的生长,并且三者之间又相互制约.实验结果表明,温度为30℃,照度为2 250 lx,pH值为7~8时光合细菌的光密度最大,生长态势最好

3.1 激光产生的基本原理和方法 3.2 光学谐振腔 3.3 激光产生的阈值条件 3.4 激光的纵模与频率特性 3.5 激光的横模和高斯光束 3.6 连续激光器的输出功率与最佳透过率

2.1 粒子数的反转分布 2.2 光在介质中的小信号增益 2.3 介质中的增益饱和与烧孔效应

研究了丙烯酸聚氨酯清漆涂层在荧光紫外UVA辐照/凝露和氙灯辐照/雨淋两种加速实验程序下的物理、化学性能和防护屏障性与暴露时间的关系.结果表明:氙灯辐照/雨淋对涂层的膜厚损失、失光率的影响程度略大于同周期UVA加速的效果;而黄色指数及不同暴露周期的完整涂层的低频阻抗模值与暴露时间的关系则与FTIR反映的羰基指数的变化规律较为一致,显示UVA加速涂层老化的效果大于同周期氙灯加速效果.且在两种加速条件下,完整涂层的低频阻抗模值均与暴露时间呈指数规律衰减,表现出较好的时间函数关系;说明EIS的低频阻抗模值与UV光辐射产生的涂层性能的变化有一定的相关性,并很好地反映其防护屏障性,可作为有效的监测参量用于建立室内外老化实验的相关性,预测光老化涂层的防护寿命

采用高温固相法合成了碱土氯硅酸盐Sr8Si4O12Cl8∶Eu3+,M3+(M=Sm3+,Al3+)发光材料,并通过激发光谱和发射光谱的测试,首次在碱土氯硅酸盐体系中研究了Sm3+、Al3+三价金属离子对Eu3+发光性能的影响及其相对发光强度随组成变化的规律.实验结果表明,Sm3+和Al3+掺入可大幅度提高Eu3+的发光强度,掺入Sm3+和Al3+后Eu3+的相对发光强度分别提高了7.3%和40.5%.Sm3+和Al3+对Eu3+有很好的敏化作用,其中Al3+的敏化作用尤为突出.Eu3+和Sm3+(Al3+)的最佳掺入量(摩尔分数)为8%和5%(18%)

描述了覆盖天津港务局全港的远程光纤存储网络的结构,对其可扩展性以及数据传输协议进行了分析,对10 Gbit速率下长距离光纤扩展时的链路功率预算值进行了计算.结果表明,在设计和实现远程光纤存储网时选择iSCSI和FC SAN融合的技术路线有利于在保证性能的同时降低成本.该系统已经成功实施,并运转正常

2.1 阴极射线管 2.1.1 黑白显像管 2.1.2 彩色显像管 2.2 液晶显示 2.2.1 液晶的基本知识 2.2.2 扭曲向列型液晶显示（TN-LCD） 2.2.3超扭曲向列型液晶显示（STN-LCD） 2.2.4有源矩阵液晶显示器件（AM-LCD） 2.3等离子体显示 2.3.1气体放电基本知识 2.3.2单色等离子体显示 2.3.3彩色等离子体显示 2.4 其它显示技术 2.4.1 投影显示 2.4.2 真空荧光显示 2.4.3 电致变色显示 2.4.4 电泳显示 2.5 TN型液晶光阀电光特性的实验研究

3.1光电二极管特性的实验研究 3.2硅光电池特性的实验研究 3.2.1 开路电压与短路电流 3.2.2 伏安特性 3.3 电荷耦合摄像器件 3.3.1 电荷耦合器件工作原理 3.3.2电荷耦合摄像器件工作原理 3.3.3电荷耦合摄像器件的特性参数

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好