8.1化学反应速率及速率方程 8.2具有简单级数的反应 8.3反应级数的测量法 8.4几种典型的复杂反应 8.5温度对反应速率的影响 8.6链反应 8.7拟定反应机理的一般方法

环境现状调查是环境影响评价的组成部分，一般情况下应根据建设 项目所在地区的环境特点，结合环境要素影响评价的工作等级，确定 各环境要素的现状调查范围，并筛选出应调查的有关参数。 环境现状调查中，对环境中与评价项目有密切关系的部分（如大气、 地面水、地下水等）应全面、详细，对这些部分的环境质量现状应有 定量的数据并做出分析或评价；对一般自然环境与社会环境的调查， 应根据评价地区的实际情况进行调查

本章从氧化还原反应出发,简单介绍原 电池的组成、半反应式以及电极电势的概 念,着重讨论浓度对电极电势的影响以及 电极电势的应用:比较氧化剂还原剂的相 对强弱,判断氧化还原反应进行的方向和 程度,计算原电池的电动势等。介绍电解 池中电极产物及电解的应用,电化学腐蚀 及其防护的原理

通过SO2复合盐雾试验模拟工业污染海洋大气环境,结合有限元模拟分析、扫描电镜/能谱仪、光电子能谱分析等技术研究2024-T351铝合金在弹性应力区间的应力腐蚀开裂行为.结果表明:应力腐蚀开裂行为优先发生在2024-T351铝合金C型环的顶部应力集中区域;疏松的腐蚀产物层的形貌经历了由细棒状、团絮状到板块状的变化;试验6 h就可以监测到裂纹,进行到480 h的时候有贯穿裂纹形成,720 h的时候试样完全断裂;裂纹为穿晶和沿晶混合机制,主裂纹以穿晶机制沿C型环法线扩展,二次裂纹沿晶界扩展

第一节 氧、氮原子上的酰化反应 第二节 碳原子上的酰化反应 第三节 α，β环氧烷基化反应 第四节 环加成反应

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

本讲要点： 双轴应力状态的概念； 双轴莫尔圆及其物理意义； 有关应变的一些基本概念； 应变椭球体及其地质意义；

为研究尾矿中硅酸盐矿物在蒸压建筑材料体系中的作用，通过X射线衍射、热重、扫描电子显微镜、能谱分析和红外光谱分析，对角闪石、拉长石、钠长石和黑云母的蒸压反应活性进行了探讨.结果表明：在180℃蒸压8h的条件下，拉长石和钠长石具有蒸压反应活性，角闪石和黑云母不具有蒸压反应活性；拉长石的蒸压产物有水钙铝榴石和斜托贝莫来石，钠长石的蒸压产物有托贝莫来石，蒸压产物相互连接有助于提高结构致密性；反应生成的托贝莫来石矿物均含有Na，具有一定的固碱作用

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

第1章单片机的发展与应用 第2章MCS-51单片机组成原理 第3章MCS-51单片机指令系统 第4章MCS-51单片机存储器扩展 第5章输入/输出与中断 第6章定时器/计数器与应用 第7章串行接口与应用 第8章并行接口与应用 第9章A/D、D/A转换接口 第10章单片机应用系统设计与开发