1.已知x(t)<(2),求x1(t)=x(3t-2)e-12的傅立叶变换X() 2.已知x(n)<2X1(z),x2(n)<2X2(z),求x(n)*x2(n)的Z变换X(z) 3.已知x(t)=u(t+1)-u(t-1),x(t)的频谱为X()求x()d2

一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素

一、解答下列各题 (本大题共3小题,总计13分) 1、(本小题4分) 证明:f(x)= arctanx在[0,1]上连续,在(0,1)可导 即f(x)在[0,1]上满足拉格朗日中值定理的条件 4分 又f(x)=、1

2005-2006第一学期《临床麻醉学》考试题(A卷)

一、选择题(每题3分。请将答案的序号填入划线内) 1.正方体仅受两个力偶作用,该两力偶矩矢等值、反向,即M1=M2,但不共线,则正方体 ①平衡; ②不平衡; ③因条件不足,难以判断是否平衡

一、选择题(每题3分。请将答案的序号填入划线内)。 1.空间力偶矩是 ①代数量; ②滑动矢量; ③定位矢量; ④自由矢量