一、自发辐射受激辐射 1自发辐射 原子在没有外界干预的情况下,电子会由处于激发态的高能级E2自动跃迁到低能级E1,这种跃迁称为自发跃迁.由自发跃迁而引起的光辐射称为自发辐射

分子的振动、转动光谱,只产生分子的振动和转动 >吸收能量较低,波长范围在红外区的电磁波 分子不产生电子能级的跃迁

第一节基本原理 原子吸收光谱法是基于被测元素基态原子在蒸气状 态对其原子共振辐射的吸收进行元素定量分析的方法。 基态原子吸收其共振辐射,外层电子由基态跃迁至 激发态而产生原子吸收光谱。原子吸收光谱位于光谱的 紫外区和可见区。 在通常的原子吸收测定条件下,原子蒸气中基态原 子数近似等于总原子数

通过运用点线面体不同元素的分合聚敌的构成进行立体和半立体的造型设计,在原有对平面形式规律认识的基础之上,增加对材料,质感,立体空间和透视角度的认识,并且通过光影表现,丰富艺术表现的语言和魅力

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

分子的振动、转动光谱,只产生分子的振动和转动 >吸收能量较低,波长范围在红外区的电磁波 分子不产生电子能级的跃迁

附录GW48EDA系统使用说明 第一节GW48教学实验系统原理与使用介绍 GW48系统使用注意事项 a:闲置不用GW48EDA系统时,关闭电源,拔下电源插头! b:EDA软件安装方法可参见光盘中相应目录中的中文 README. TXT:详细使用方法可

半导体是电导率介于金属导体和绝缘体之间的一大类导电物体,它们的电导率大约 分布在10cm~103-cm之间。用半导体制成的各种器件有极广泛的用途,通过 不同的掺杂工艺,可以把半导体制成各种电子元件,如作为电子计算机及通讯、自动控 制工程基础的晶体管和集成电路等。另外,半导体对电场、磁场、光照、温度、压力及 周围环境气氛等外部条件非常敏感,因此它是敏感元器件的重要材料

第三章原子结构 3-1原子核外电子运动状态 电子围绕原子核高速运转,从最简单的原子氢光谱开始研究

6.13电子的自旋四个量子数 一电子“轨道”角动量与轨道磁矩的关系 二斯特恩一盖拉赫实验 三.电子自旋 四.碱金属原子的光谱双线