第一节 氧、氮原子上的酰化反应 第二节 碳原子上的酰化反应 第三节 α，β环氧烷基化反应 第四节 环加成反应

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

本讲要点： 双轴应力状态的概念； 双轴莫尔圆及其物理意义； 有关应变的一些基本概念； 应变椭球体及其地质意义；

为研究尾矿中硅酸盐矿物在蒸压建筑材料体系中的作用，通过X射线衍射、热重、扫描电子显微镜、能谱分析和红外光谱分析，对角闪石、拉长石、钠长石和黑云母的蒸压反应活性进行了探讨.结果表明：在180℃蒸压8h的条件下，拉长石和钠长石具有蒸压反应活性，角闪石和黑云母不具有蒸压反应活性；拉长石的蒸压产物有水钙铝榴石和斜托贝莫来石，钠长石的蒸压产物有托贝莫来石，蒸压产物相互连接有助于提高结构致密性；反应生成的托贝莫来石矿物均含有Na，具有一定的固碱作用

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

第1章单片机的发展与应用 第2章MCS-51单片机组成原理 第3章MCS-51单片机指令系统 第4章MCS-51单片机存储器扩展 第5章输入/输出与中断 第6章定时器/计数器与应用 第7章串行接口与应用 第8章并行接口与应用 第9章A/D、D/A转换接口 第10章单片机应用系统设计与开发

4.1 细胞反应的计量学 4.2 细胞反应的碳平衡 4.3 细胞反应的氧平衡和ATP平衡 4.4 细胞反应的能量平衡

一、 酶——具有催化活性的大分子生物物质，其物质组成是蛋白质。 二、在多数酶促反应的生产过程中，酶以游离状态参与催化反应。——均相的酶促反应，且多数是在液相中进行反应

为从力学本质上揭示SI-FLAT非接触式板形仪的检测原理,基于薄板流固耦合振动理论,建立了薄板振幅与残余应力关系的数学模型.在非协调Föppl-von Kármán方程组的平衡方程中引入惯性项与流体压强项,利用气动载荷在时间上的周期性将流体速度函数、流体压强函数、薄板挠度函数和薄板应力势函数的时间变量分离出来,得到描述SI-FLAT板形仪稳定工作状态的偏微分方程组.进一步利用分离变量法求解该方程组,最终建立起薄板振幅与残余应力的数学关系.同时结合实测残余应力数据,利用Siemens提出的振幅-残余应力模型反算得到实际薄板振幅分布,并将其与流固耦合振动模型计算的振幅进行对比,验证了提出的数学模型的可靠性.进一步利用流固耦合振动模型分析了气泵进风口流体速度、检测距离和激振频率对振幅的影响,为SI-FLAT板形仪科学合理的利用提供了理论依据

一、研究高分子化学反应的意义: 扩大高分子的品种和应用范围在理论上研究和验证高分子的结构研究影响老化的因素和性能变化之间的关系研究高分子的降解,有利于废聚合物的处理。 二、高分子化学反应的分类聚合度基本不变的反应,侧基和端基变化聚合度变大的反应:交联、接枝、嵌段、扩链聚合度变小的反应:降解,解聚