利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理.X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为Insb，In，Sb各相的混合物；重结晶后，基本为InSb单相，InSb晶粒呈规则状外形长大.热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的1.31×104 cm2/（V·s）提高到4.47×104 cm2/（V·s）（热蒸镀）和2.15×103 cm2/（V·s）提高到2.04×104 cm2/（V·s）（磁控溅射）

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