一．名词解释（本大题共 5 小题，每题 2 分，共 10 分） 1．过度紧张：指在训练或比赛时(0.5 分),一时（0.5 分）运动负荷超过了机体的承受能力(0.5 分)而引起的病理状态。(0.5 分)

第一讲 概述 第二讲 电力电子器件（一） 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件－电力二极管 2.3 半控型器件－晶闸管 第三讲 电力电子器件（二） 半控型器件－晶闸管 第四讲 电力电子器件（三） 3.0 概述 3.1 门极可关断晶闸管 3.2 电力晶体管 3.3 电力场效应晶体管 3.4 绝缘栅双极晶体管 第五讲 电力电子器件（四） 第五讲 整流与有源逆变(一) 第六讲 整流与有源逆变(二) 路 第七讲 整流与有源逆变(三) 7.1 变压器漏感对整流电路的影响 7.2 电容滤波的不可控整流电路 7.3 大功率可控整流电路 第八讲 整流与有源逆变(四) 8.1 整流电路的有源逆变工作状态 8.2 晶闸管直流电动机系统 第九讲 整流与有源逆变(五) 整流电路的谐波和功率因数 9.1 谐波和无功功率分析基础 9.2 带阻感负载时可控整流电路交流侧谐 波和功率因数分析 9.3 电容滤波的不可控整流电路交流侧谐 波和功率因数分析 9.4 整流输出电压和电流的谐波分析 第十讲 整流与有源逆变(六) 相控电路的驱动控制 10.1 同步信号为锯齿波的触发电路 10.2 集成触发器 10.3 触发电路的定相 第十一讲 直流斩波电路分析 第十一讲 直流斩波电路分析 11.1 基本斩波电路 11.1.1 降压斩波电路 11.1.2 升压斩波电路 11.1.3 升降压斩波电路和Cuk斩波电路 11.1.4 Sepic斩波电路和Zeta斩波电路 11.2 复合斩波电路和多相多重斩波电路 11.2.1 电流可逆斩波电路 11.2.2 桥式可逆斩波电路 11.2.3多相多重斩波电路 第十二讲. 交流电力控制电路和交交变频电路 第十三讲 无源逆变第十四讲 PWM控制技术 第十七讲 软开关技术 17.0 概述 17.1 软开关的基本概念 17.2 软开关电路的分类 17.3 典型的软开关电路

一、传统的行业分析 1.行业生命周期 2.行业与经济周期 2.四种市场结构的特征 二、现代行业分析 五种竞争力量 1.结构因素 2.进入危险 3.行业内竞争 4.替代品的压力 5.买方坎价能力 6.卖方坎价能力 7.政府作用力 8.行业的演变 三、现代公司分析 公司基本战略及地位 1.总成本领先战略 2.标奇立异战略 3.集聚战略 基本战略的风险 1.总成本领先 2.标奇立异 3.集聚 四、自由讨论

一、名词解释（本大题共 10 小题，每题 2 分，共 20 分） 1 机化：由肉芽组织取代（1 分）坏死及异常组织的过程（1 分）。 2 梗死：动脉血流供应中断（1 分）所引起的坏死（1 分）

• 矩阵的分块 • 分块矩阵的加法及数乘 • 分块矩阵的乘法 • 分块矩阵的转置 • 分块对角阵 • 小结

一 能从宏观和统计意义上理解压强、温度等概念 。了解了解系统的宏观性质是微观运动的统计表现 ，了解统计方法。 二 掌握分子平均能量按自由度均分原理，会计算理想气体的内能。 三 理解麦克斯韦速度分布律、速率分布函数曲线的物理意义，理解“三种速率”的意义和求法，了解玻尔兹曼能量分布律。 四 了解物质中三种迁移现象的概念、宏观规律等。 五 了解液体的表面现象。 第一节 理想气体的压强和温度 第二节 能量按自由度均分原理 第三节 分子的速率 第四节 物质中的迁移现象 第五节 液体的表面现象

针对国内某厂以BOF-RH-CC流程生产的IF钢连铸坯,采用氧氮化学分析、光学显微镜分析、扫描电镜分析、能谱分析和金属原位统计分布分析等多种分析方法,综合分析了夹杂物的尺寸、数量、分布以及成分等.结果表明,非稳态浇铸下铸坯二次氧化严重,大型夹杂物增多;铸坯宽度1/4位置表层夹杂物数量高于边部和中部;随着距内弧表面距离的增加,Al系夹杂物平均粒度越来越小,大于10μm的夹杂物比例也越来越小;铸坯表层夹杂物含量和粒度明显高于铸坯内部,其中距内弧6 mm处夹杂物总数最多

分线设备是配线电缆的终端，连接配线电缆 和用户线路部分，具有重要的作用。本节主要介 绍分线设备的分类和结构、分线设备的技术要求 及分线设备的安装等

反馈系统的特性及基本分析 反馈系统的特性及基本分析 性能定义 一阶系统性能分析 二阶系统性能分析 高阶系统吸能分析

分析了高碳硬线钢82B在冶炼过程中复合夹杂物-钢液-渣及耐火材料局部动态平衡反应过程及Mn、Si和Al脱氧条件下夹杂物成分变化规律.利用热力学计算软件FactSage进一步计算分析了硬线钢获得良好变形能力的Al2O3-SiO2-MgO-CaO-MnO五元系夹杂物所需要的条件:钢液中[Al]的质量分数控制在(25～100)×10-6时,相应地钢液中溶解[O]的质量分数可以控制在(5～20)×10-6.在低熔点区域内,[Si]的质量分数可以控制在0.1%～1.5%;[Mn]的质量分数控制在0.2%～1%