◼ 7.1 定标与溢出处理 ◼ 7.2 基础算术运算 ◼ 7.3 FIR滤波器 ◼ 7.4 IIR滤波器 ◼ 7.5 快速傅里叶变换(FFT) ◼ 7.6 DSPLIB的使用

一、半导体存储器 二、存储器空间划分方法 三、数据存储器(RAM) 四、程序存储器(ROM) 五、MCS-51片外总线构

重点： 1．亲电取代反应。 2．取代基的定位效应。 3．芳香性。 难点： 1．对芳香性的理解。 2．取代基定位效应的判断和应用及其原理。 第一节 苯的结构 第二节 芳烃的异构现象和命名 第三节 单环芳烃的性质 第四节 苯环的亲电取代定位效应 第五节 几种重要的单环芳烃 第六节 多环芳烃 第七节 非苯系芳烃 第八节 富勒烯与C60

主要对数字信号处理器（DSP, Digital Signal Processor ）进行简要介绍。 ◼ 1.1 DSP的基本概念 ◼ 1.2 DSP芯片的发展、特点、分类 ◼ 1.3 DSP产品概况

5.3.1 定时/计数器的结构和工作原理 5.3.2 定时/计数器的控制 5.3.3 定时/计数器的工作方式 5.3.4 定时/计数器用于外部中断扩展 5.3.5 定时/计数器应用举例

7.1 单片机应用系统设计概述 7.2 51系列单片机高级语言C51程序设计基础

以一种多元素铁基非晶合金粉末(含C,Si,B,Cr,W,Mo,Ni,Fe等)作为喷涂材料,用大气等离子喷涂在316L不锈钢基体上制备涂层.用X射线衍射仪检测涂层的晶型结构,扫描电镜观察涂层的形貌,透射电镜观察涂层的微观组织结构,显微硬度仪测量涂层的显微硬度,纳米压痕仪测量涂层的硬度及弹性模量,并用谢乐公式计算了晶粒尺寸.结果表明:所制备的涂层均匀致密,与基体结合良好;涂层含有非晶和纳米颗粒;这种非晶-纳米复合涂层具有很高的硬度和弹性模量

研究了含2%W和V的Fe-Cr-Mn合金经热时效处理和电子辐照条件下,溶质元素晶界偏聚和析出相的行为。实验结果表明:在含W、V合金中热时效引起Cr、Mn晶界贫化,它决定于富Cr碳化物M23C6中组元组成。辐照条件下,两种合金中Cr、Mn都发生晶界贫化,它决定于辐照产生空位浓度和空洞体胀量,辐照诱起晶界元素偏聚影响析出相成分

1 如图，一定量的理想气体由平衡态A变到平衡态B，且它们的压强相等，则在状态A和状态B之间，气体无论经过的是什么过程，气体必然（ ） (A)对外作正功 (B)内能增加 (C)从外界吸热 (D)向外界放热

6.1 数据通信基础 6.1.1 数据通信系统 6.1.2 数据传输编码 6.1.3 通信同步技术 6.1.4 常用传输介质 6.2 通信网络技术 6.2.1 网络拓扑结构 6.2.2 网络控制方法 6.2.3 差错控制技术 6.3 网络体系结构 6.4 串行通信总线 6.4.1 RS-232C通信总线 6.4.2 RS-422/485通信总线