《半导体工艺原理》课程教学课件（PPT讲稿）第6章 光刻工艺

例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

5.5半导体材料的电导 5.5.1半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷: 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷,对材料的物理性能、化学 性能产生决定性的影响

实验 1 光源与光度辐射度参数的测量 实验 2 LED 光谱特性的测试 实验 3 LED 角度特性参数测量实验 实验 4 LED 色温控制实验 实验 5 LED 光源 RGB 混色控制实验

重庆大学：《半导体器件物理学》实验课程教学大纲

应用物理学专业《半导体物理与器件_实践环节》课程实践教学大纲

浙江大学：《半导体物理基础》课程教学资源（PPT讲稿）Fundamentals of Semiconductor Physics（Silicon Technology）

§6.1 金属/半导体接触和肖特基势垒 §6.2 实际肖特基势垒高度的调制 §6.3 肖特基二极管及其IV特性 §6.4 M/S的欧姆接触 §6.5 异质结

一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响

一、外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 二、外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法