例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

5.5半导体材料的电导 5.5.1半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷: 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷,对材料的物理性能、化学 性能产生决定性的影响

重庆大学：《半导体器件物理学》实验课程教学大纲

浙江大学：《半导体物理基础》课程教学资源（PPT讲稿）Fundamentals of Semiconductor Physics（Silicon Technology）

§6.1 金属/半导体接触和肖特基势垒 §6.2 实际肖特基势垒高度的调制 §6.3 肖特基二极管及其IV特性 §6.4 M/S的欧姆接触 §6.5 异质结

一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响

一、外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 二、外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法

1.晶体生长的一般方法(掌握) 晶体是在物相转变的情况下形成的。 物相有三种，即气相、液相和固相

一、根据物质的导电性,物质可以分为哪几种? 二、集成电路中主要研究的是哪种?原因是什么?

一、前10章，重点前7章 二、课上补充内容 三、 作业