一、变像管 二、像增强管 三、光调制器件

电荷为信号 基本功能电荷的存储和转移 工作过程:产生、存储、传输和检测 两类:电荷包在半导体和绝缘体之间,界 面传播(SCCD);电荷包存储在离表面一 定深度的体内,体内传播(BCCD)

光电耦合器件 一、光隔离器、光耦合器 二、封装(LED+光敏器件) 三、电一光一电器件 四、耦合有线性变化关系+电隔离性能

发光二极管 发光二极管的结构和工作原理 注入式电致发光器件 PN结烧结在陶瓷或金属底座上透明环氧树脂封装

一、热电偶与热电堆 二、热敏电阻 三、热释电探测器件

光敏三极管 一、结构和原理 二、特性 三、特性参数和选用

第一节光敏电阻 第二节光电池 第三节光敏二极管

探测器件 热光电探测元件 光电探测元件 气体光电探测元件 外光电效应 内光电效应 非放大型 放 大 型 光电导探测器 光磁电效应探测器 光生伏特探测器 本征型 掺杂型 非放大 放大型 真空光电管 充气光电管 光电倍增管 变像管 摄像管 像增强器 光敏电阻 红外探测器 光电池 光电二极管 光电三极管 光电场效应管 雪崩型光电二极管

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

第一阶段:传统的光学装置及仪器,不能胜任对 复杂光信息高速采集和处理的要求 第二阶段:半导体集成电路技术,可以将探测器 件及电路集成在一个整体中,也可以将具有多个 检测功能的探测器件集成在一个整体中。其价格 低,体积小。例如,将图形、物体等具有二维分 布的光学图像转换成电信号的检测器件是把基本 的光电探测器件组成许多网状阵列结构,引人注 目的器件CCD就是一种将阵列化的光电探测与扫 描功能一体化的固态图像检测器件。它是把一维 或二维的光学图像转换成时序电信号的器件,能 广泛引用于自动检测、自动控制,尤其是图像识 别技术