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CSP工艺生产低碳钢中的纳米碳化物及其对钢的强化作用
文档格式:PDF 文档大小:576.26KB 文档页数:4
用化学相分析及x射线小角散射法研究了CSP工艺生产HSLC钢中碳化物的成分、数量及粒度分布,发现尺寸小于18 nm的碳化物含量大于文献中测定的CSP含Nb的HSLA钢中尺寸小于18nm的Nb (CxNy)含量.对纳米级碳化物对钢的强化作用进行了讨论
《北京科技大学学报》:三元乙丙橡胶的人工气候老化(赵泉林、李晓刚、高瑾)
文档格式:PDF 文档大小:988.83KB 文档页数:6
利用氙灯人工气候箱对三元乙丙橡胶(EPDM)进行人工气候老化实验,采用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、电子万能试验机和色度计研究了人工气候老化对EPDM化学结构、表面形貌、力学性能和颜色的影响.结果表明:在氙灯人工气候环境中老化90d后,EPDM表面生成一层厚度约2μm的氧化膜,其组成包括有C-O-C/C-OH、C=O和O-C=O;交联密度随老化时间的变化基本呈线性增加;随老化时间的延长,试样表面粗糙度增加,有孔洞和微裂纹生成,拉伸强度、撕裂强度和硬度增加,EPDM试样表面变红变黄,亮度增加
7A04铝合金在薄液膜下腐蚀行为
文档格式:PDF 文档大小:1.8MB 文档页数:8
采用薄液膜装置研究了7A04铝合金在1mol·L-1硫酸钠溶液(pH=5)中的腐蚀行为,用扫描电镜(SEM)观察了腐蚀产物的微观形貌,用光电子能谱分析了腐蚀产物的组成,测试了试样在不同液膜厚度下腐蚀不同时间的交流阻抗曲线.结果表明:7A04铝合金在薄液膜下腐蚀不均匀,中心部位腐蚀轻微,而边沿腐蚀相对严重;腐蚀产物主要为Al(OH)3和硫酸铝;电化学阻抗谱显示在腐蚀前期(0~96h),110μm液膜下7A04铝合金的腐蚀速率最大,而在腐蚀后期(96~168h),材料在本体溶液中腐蚀速率最大
锌镍合金镀层的铬酸盐钝化
文档格式:PDF 文档大小:436.21KB 文档页数:5
采用一种新的铬酸盐钝化处理方法,可进一步提高含镍量为12%~13%的锌镍合金镀层的化学稳定性,其耐蚀性比未钝化的高5倍。研究了铬酸盐溶液成分及操作条件对钝化膜形成机理的影响,并对膜的耐蚀性与防护机理进行了探讨
高铝型高水充填材料热力学分析
文档格式:PDF 文档大小:316.15KB 文档页数:4
对高水充填材料的烧结和水化反应过程进行了热力学计算与分析,阐明了高水充填材料的主要热力学性质以及所表现出的强度,稠度和风化等物理化学特性
人工加速老化对聚脲涂料防护性能的影响
文档格式:PDF 文档大小:770.61KB 文档页数:5
针对聚脲涂料防腐涂层进行紫外加速老化实验,采用光泽度计、扫描电子显微镜(SEM)以及傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分析并结合电化学阻抗谱(EIS)图谱,研究涂层的老化行为.结果表明:涂层的老化分为前期、中期和后期三阶段,涂层表面在老化中期变色较大.涂层的表面、断面SEM及EIS测试显示涂层中的微气泡阻止了涂层的老化裂纹向基体发展,涂层仍保持较好的防护性能
一种新型实用热轧工艺参数模型的开发
文档格式:PDF 文档大小:397.06KB 文档页数:3
介绍了一套自主开发的热轧工艺参数模型.该模型内耦合了不同钢种的变形抗力曲线,这些变形抗力方程中耦合了钢的化学成分、温度、应变、应变速率及奥氏体晶粒尺寸等因素.根据输入的工艺参数用西姆斯方程计算每道次的应变速率及应变量,并得到相应道次的变形抗力、热轧轧制力、力矩及功率等参数.模型可根据实测的结果自学习,并修正相应的结果.与攀钢热轧厂的实测结果相比,模型的输出结果吻合较好,预测误差在10%以内.
LnCl3/MCl熔盐体系能量不对称性(Ln=稀土元素,M=碱金属元素)
文档格式:PDF 文档大小:460.9KB 文档页数:4
LnCl3/MCl熔体中,库仑效应、Van der Waals效应和极化效应起着主导作用,导致溶液热力学性质相对理想溶液呈负偏差,并在xLnCL≈0.2处,形成最大有序,用扩展的似化学理论模型能较好地描述这一特点.阐述了发展新热力学模型时应考虑到次近邻粒子及诸如空穴等似离子的作用,结合熔体结构研究,探讨熔体粒子间的相互作用机理
含Ti奥氏体不锈钢连铸小方坯的质量
文档格式:PDF 文档大小:1.03MB 文档页数:7
介绍了我国第一台特殊钢方坯连铸机,连铸含Ti奥氏体不锈钢的铸坯质量情况,内容包括:铸坯的低倍组织结构、非金属夹杂物、化学成分偏析、铸坯表面及钢材性能。连铸的工艺条件保证了产品的性能要求
硅中氢致缺陷和微缺陷氢沉淀的消除及其应用
文档格式:PDF 文档大小:434KB 文档页数:5
氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶,原生晶体经化学腐蚀,观察不到缺陷,包括微缺陷。但当块状热处理后,经腐蚀常常观察到尺度mm数量级的氢致缺陷(φ型缺陷、麻坑)和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷,原生单晶需片状供应,片厚应小于1mm,或中照后的区熔(氢)硅单晶,片状,940℃、0.5h退火,均能消除之。在电力电子器件的应用中,管芯等级合格率可保持在80%以上
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