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一.判断线性系统 x(n) y(n) T[] 如果y(n)=[x1(n),y2(n)=T[x2(n) 有 Ta1x1(n)+a2x2(n)=a1[x1(n)+a2T[x2(n) 则系统为线性系统
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§1.5 小信号微波晶体管放大器 §1.5.1 有源二口网络的S参数 §1.5.2 微波晶体管放大器增益 §1.5.3 微波放大器稳定性 §1.6 放大器噪声参数 §1.6.1 有源网络噪声参数一般表示式 §1.6.2 等噪声系数圆和等增益圆 § 1.7 微波晶体管放大器 §1.7.1 放大器的增益 §1.7.2 多级放大器噪声
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1982年Win证明了:2n阶Ore-(1)型图G有边不交的一个Hamilton圈和一个1-因子。本文证明了:在几乎与Win定理的条件相同的情况下,Ore-(1)型图有边不交的两个Hamilton圈和一个1-因子
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实验选取了Ⅰ级和Ⅱ级两种粉煤灰,以石灰和脱硫石膏为激发剂制备的胶凝材料完全取代传统的胶结剂水泥,以胶砂比为1:4,水胶比为1:1左右制备的粉煤灰全尾砂充填料在45±1℃下养护3 d,强度可达5.432 MPa,在20±1℃下养护28 d强度可达3~7 MPa,满足一般矿山对充填料的要求.根据料浆质量分数和坍落度关系曲线,得到了该材料制备成的可泵送膏体质量分数范围为80.5%~83.0%.通过X射线衍射和扫描电镜分析,胶凝材料的水化产物主要为凝胶类物质、钙矾石和方解石
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• 4.1 存储器的概念、分类和要素 •4.1.1 简介 •4.1.2 半导体存储器的分类 •4.1.3 选择存储器件的考虑因素 • 4.2 随机读写存储器(RAM) •4.2.1 静态RAM •4.2.2 动态RAM •4.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 • 4.3 只读存储器(ROM) •4.3.1 掩膜ROM •4.3.2 可擦除可编程的ROM(EPROM) •4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) • 4.4 CPU与存储器的连接 •4.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 •4.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 •4.4.3 CPU(8088系列)与存储器的连接 • 4.5 IBM-PC/XT中的存储器,扩展存储器 •4.5.1 存储空间的分配 •4.5.2 ROM子系统 •4.5.3 RAM子系统 4.5.4 寻址范围 •4.5.4 寻址范围 •4.5.5 存储器的管理 •4.5.6 高速缓存器Cache
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1-1静力学的基本概念 1-2静力学公理 1-3约束与约束反力 1-4物体的受力分析与受力图
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微元法 我们先回忆一下求曲边梯形面积S的步骤:对区间[a,b作划分 a=x0
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采用Fluent软件对均气环、冷却预处理器和漩涡撞击元件三项关键技术进行模拟仿真,并用MATLAB拟合其对烟气流场的影响规律.结果表明:烟气分布最优时,均气环安装位置与宽度呈线性关系时;冷却预处理器喷水速度越大,烟气温度越低,当喷水速度大于30m·s-1时,随着喷水量增大,温度变化不明显,最佳喷水速度范围为25~30m·s-1;压力损失随漩涡撞击元件切向速度的增大而增大,当切向速度大于20m·s-1时,压力损失急剧上升,漩涡撞击元件最大切向速度应该控制在20m·s-1左右,即托盘转速应该为85r·min-1左右
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通过分析Ag-Au-Ge体系三元相图,根据其存在的共晶单变线e1e2,制备了两种接近共晶成分的Ag-Au-Ge钎料合金(AAG1和AAG2),研究了钎料合金的熔点、润湿性等性能,观察了合金的显微组织以及合金与Al-SiC/Ni/Au基板的结合界面.实验结果显示:AAG1合金的固相线和液相线的温度分别为410.0和449.8℃,AAG2相应的温度为401.1和441.0℃;两种钎料合金的固液相间距较大.AAG1对基板的润湿性较好;两种合金与基板的接触性很好,界面没有发现金属间化合物.AAG1可以作为400~500℃的钎焊料使用
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1.由 Lagrange中值定理知 n(1+x)= x ,0<0(x)<1, 1+(x)x 证明:im(x)=1/2 证由(x)=x-n(1+x),取极限即得到
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