4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

概述:闭环系统的动态性能与闭环极点在s平面上的位置密切相关系统的闭 环极点也就是特征方程式的根当系统的某一个或某些参量变化时特征 方程的根在s平面上运动的轨迹称为根轨迹 根轨迹法:直接由开环传递函数求取闭环特征根的方法

二由Bode图确定系统的传递函数步骤: 1.用±20ndb/dec的直线段去近似实验所得对数幅频特性 2开环增益K的确定

§7–1 重量分析概述 §7–2 重量分析对沉淀的要求 §7–3 沉淀完全的程度与影响沉淀溶解度的因素 §7–4 影响沉淀纯度的因素 §7–5 沉淀的形成与沉淀的条件 §7–7 沉淀滴定法概述 §7–6 重量分析的计算和应用示例 §7–8 银量法滴定终点的确定

重点内容:银行的职能、我国现行银行体系以及银行法的地位和内容

§3-1 滴定分析法和滴定方式 §3-2 标准溶液 §3-3 滴定分析中的计算 §3-4 滴定分析中的化学平衡

1、 RC、RL电路的零输入响应； 2、 RC、RL电路的零状态响应； 3、 一阶电路的全响应；暂态与稳态 ； 4、 一阶电路的三要素法； 5、 阶跃函数和阶跃响应；子区间分析法

❖烯烃的构造异构,命名,烯基 ❖烯烃的结构 ❖顺反异构、E-Z标记法—次序规则 ❖烯烃的来源和制法 ❖烯烃的物理性质 ❖ 烯烃的化学性质、亲电加成反应历程 5.1 烯烃的结构 5.1.1 sp2杂化碳原子和碳碳双键 5.1.2 π−键的特性 5.1.3 烯烃的同分异构现象 5.2 烯烃的分类和命名 5.2.1 烯烃的分类 5.2.2 烯烃的命名（系统命名法） 5.3 烯烃的来源和制法 5.4 烯烃的物理性质 5.5 烯烃的化学性质 5.5.1 催化加氢 5.5.2 亲电加成反应 5.5.3 烯烃的自由基型反应 5.5.4 氧化反应 5.5.5 聚合反应

§1-1 集总电路 §1-2 电流、电压及功率 §1-3 基尔霍夫定律 §1-4 特勒根定理 §1-5 电阻元件 §1-6 电压源 §1-7 电流源 §1-8 受控源 controlled source §1-9 分压公式和分流公式 §1-10 两类约束 KCL、KVL方程的独立性 §1-11 支路电流法和支路电压法 §1-12 叠加原理

以醇盐水解-氨气氮化法在SiC颗粒表面包覆TiN,然后采用放电等离子体烧结制备出(SiC)TiN/Cu复合材料.结果表明:醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN包覆SiC复合粉末,TiN包覆层均匀连续,TiN颗粒的粒径为30~80nm.TiN包覆层能够促进复合材料的致密化并改善界面结合.(SiC)TiN/Cu复合材料的电导率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之间,并且随着SiC体积分数的增加而降低.TiN包覆层和基体中网络结构TiN的存在能够有效提高复合材料的电导率.复合材料的电导率较接近P.G模型的预测值