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人教版(2012)小学数学一年级下册1 认识图形(二)1 认识图形(二)导学案
文档格式:DOCX 文档大小:33.17KB 文档页数:4
人教版(2012)小学数学一年级下册1 认识图形(二)1 认识图形(二)导学案
TiCp/7075Al基复合材料半固态坯料二次加热组织
文档格式:PDF 文档大小:886.25KB 文档页数:5
利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和示差扫描量热法(DSC)研究了4.4%TiCp/7075Al基复合材料的二次加热组织演变规律及其影响因素.结果表明:4.4%TiCp/7075Al基复合材料的最佳二次加热工艺参数是加热温度为590~610℃,保温时间为10~20min;4.4%TiCp/7075Al基复合材料在二次加热过程中具有较高的稳定性,随温度的升高和保温时间的延长,球形晶粒尺寸增加较小;4.4%TiCp/7075Al基复合材料在600℃时的晶粒粗化速率常数为118.96μm3·s-1,远小于7075基体合金的晶粒粗化速率常数311.7μm3·s-1,更加适宜于半固态触变成形
华中师范大学:《数学分析》课程PPT教学课件(讲稿)第三章(3.5.2)定理3(第二充分条件)
文档格式:PPT 文档大小:44.5KB 文档页数:1
定理3(第二充分条件)设函数f(x)在点x处具有二阶导数且 f(x)=0,f\(x)≠0,那么 (1)当f(x)0时,函数f(x)在x处取得极小值.简要证明只证情形(1) 由于f\(x)<0,f(x)=0,按二阶导数的定义有
人教版(2012)小学数学一年级下册1 认识图形(二)1 认识图形(二)导学案(4)
文档格式:DOC 文档大小:670KB 文档页数:3
人教版(2012)小学数学一年级下册1 认识图形(二)1 认识图形(二)导学案(4)
大方坯连铸过程凝固规律
文档格式:PDF 文档大小:780.94KB 文档页数:6
通过建立425mm×320mm连铸大方坯二维凝固传热数学模型,模拟了凝固坯壳的长大过程,并通过窄面射钉实验对数学模型进行了验证,精确得到了任意位置处大方坯凝固坯壳的厚度分布情况及最终凝固终点的位置,发现经典的凝固平方根定律对于连铸大方坯的凝壳长大进程不再适用.回归宽面中心坯壳厚度与凝固时间平方根的关系式发现,结晶器弯月面至二冷区出口,近似为线性关系,符合平方根定律,二冷区出口至凝固终点,二者为非线性关系,不再符合平方根定律
华中师范大学:《数学分析》课程PPT教学课件(讲稿)第十二章(12.8)二阶常系数齐次线性微分方程
文档格式:PPT 文档大小:263.5KB 文档页数:14
12.8二阶常系数齐次线性微分方程 方程y\+py'+qy=0称为二阶常系数齐 次线性微分方程,其中p、q均为常数 如果y1、y2是二阶常系数齐次线性微分 方程的两个线性无关解,那么y=C1y1+C2y2 就是它的通解
C10Zn,C12Zn及二元体系非等温固-固相变动力学
文档格式:PDF 文档大小:464.03KB 文档页数:4
合成了具有层状钙钛矿结构的两种热致相变材料四氯合锌酸癸铵n-(C10H21NH3)2ZnCl4和四氯合锌酸十二铵n-(C12H25NH3)2ZnC14,并在两种材料的乙醇溶液中结晶出一系列二元混合体系.对纯组分及各个二元体系利用差示扫描量热(DSC)测定了热分析曲线,采用Kissinger和Ozawa两种动力学模型研究了非等温固-固相变动力学,计算了固-固相变过程的活化能和反应级数.两种方法的计算结果相一致
二安替比林甲烷PVC膜Au(Ⅲ)离子选择电极的研制和应用
文档格式:PDF 文档大小:445.13KB 文档页数:5
本文报导了新型PVC膜Au(Ⅲ)离子选择电极。电极的敏感膜由二安替比林甲烷(DAM)-AuCl4-缔合物(10mg)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)(0.2ml)、PVC粉(170mg)组成。此电极在0.5MHCl介质中对AHCl4-的能斯特响应范围在6×10-7~1×10-2M,斜率为58±1mV/PM(22℃),检测下限为3.2×10-7M。连续使用三个月,电极的性能良好。用此种离子选择电极测定了经泡沫塑料富集分离的矿石中微量金,得到了满意的结果
人教版(2012)小学数学一年级下册1 认识图形(二)1 认识图形(二)导学案(3)
文档格式:DOCX 文档大小:17.45KB 文档页数:6
人教版(2012)小学数学一年级下册1 认识图形(二)1 认识图形(二)导学案(3)
铝阳极氧化膜二次阳极电解沉积MoS2
文档格式:PDF 文档大小:1.24MB 文档页数:8
观察了实验条件对恒电流密度下二次阳极处理电解沉积MoS2对应的电压时间关系曲线和膜颜色的影响。电子探针分析表明,沉积的固体润滑剂在整个孔的深度范围存在,但接近孔口的膜外表面下含量较高。透射电镜观察发现二次阳极处理过程实质上为二次阳极氧化过程,膜的阻挡层增厚,其厚度与电压的比值在1.0~1.4nm/V范围。原多孔膜底部未发生对应高电压的大孔的起源和发展。沉积MoS2的工艺使膜的硬度有所下降。膜的摩擦系数降低,耐磨性提高
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